--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 60V
- VGS 20(±V)
- Vth 2.5V
- RDS(ON) 10mΩ@VGS=10V
- ID 58A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### NCE6050KA-VB 产品简介
NCE6050KA-VB 是一款采用 **TO252 封装**的 **N-Channel MOSFET**,专为中高电流应用设计。其最大漏极-源极电压 (VDS) 为 **60V**,栅极-源极电压 (VGS) 为 **±20V**,并且具备 **2.5V 的阈值电压 (Vth)**,确保器件在较低的驱动电压下也能稳定工作。该器件的 **导通电阻 (RDS(ON)) 仅为 10mΩ** @ VGS=10V,保证了低导通损耗和高效率。最大漏极电流 (ID) 为 **58A**,采用先进的 **Trench 技术**,使其在功率密度和开关性能之间取得了良好平衡,非常适合于电源管理和汽车电子等高性能需求场景。
---
### 详细参数说明
- **型号**:NCE6050KA-VB
- **封装**:TO252
- **配置**:Single-N-Channel
- **最大漏极-源极电压 (VDS)**:60V
- **最大栅极-源极电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 13mΩ @ VGS = 4.5V
- 10mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**:58A
- **技术**:Trench
- **应用环境温度**:工业级
- **封装优势**:TO252 具有良好的散热性能,适合高功率密度场合。
---
### 应用领域与模块示例
**NCE6050KA-VB** 的性能特性使其适用于多种需要高电流和高效率的领域,以下是一些常见的应用场景:
1. **DC-DC 转换器**:该 MOSFET 广泛用于同步整流的低侧开关,保证了高效的电能转换,适合于服务器、工业设备及便携式电子设备的电源模块。
2. **汽车电子**:在汽车的电子控制单元 (ECU)、电池管理系统 (BMS) 和电动助力转向 (EPS) 系统中,该器件可用作功率开关,提供稳定的电流控制和快速响应能力。
3. **开关电源 (SMPS)**:NCE6050KA-VB 适合用于开关电源中的主要开关元件,帮助提高能效,减少能量损耗,广泛应用于 LED 驱动、显示器电源等场景。
4. **电机控制**:适用于电动工具和家电的电机驱动电路中,NCE6050KA-VB 可用于控制高速电机的启停和转速调整,具有高可靠性和低功耗特点。
5. **消费电子和电源适配器**:在智能家居和便携设备的电源适配器中,该 MOSFET 能够提供稳定的电能输出和保护功能。
---
NCE6050KA-VB 结合了 **高电流承载能力**、**低导通电阻** 和 **快速开关性能**,是现代高效电源管理和汽车电子系统中的理想选择。其 TO252 封装既保证了良好的散热性,又适合紧凑型设计,是高功率应用的优选器件。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12