### 一、NCE5558K-VB 产品简介
NCE5558K-VB 是一款高效的 **N-沟道 MOSFET**，采用 **TO252 封装**，专为各种功率转换和开关应用设计。该器件具有 **最大漏源电压 (VDS)** 为 **60V**，支持 **±20V 的栅源电压 (VGS)**，其开启阈值电压为 **2.5V**，确保在较低电压下实现可靠的导通。NCE5558K-VB 的导通电阻在 **VGS = 10V** 时为 **10mΩ**，在 **VGS = 4.5V** 时为 **13mΩ**，具有极低的导通损耗，适合高效能的电源管理方案。最大漏极电流为 **58A**，使其能够处理较大的负载，广泛应用于工业控制、汽车电子和消费电子等领域。
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### 二、NCE5558K-VB 详细参数说明
| **参数** | **数值** | **说明** |
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| **封装类型** | TO252 | 适合表面贴装的紧凑型封装 |
| **配置** | 单 N-沟道 MOSFET | 提供单通道的高效电源控制 |
| **漏源电压 (VDS)** | 60V | 最大漏极与源极之间的电压差 |
| **栅源电压 (VGS)** | ±20V | 最大栅极与源极之间的电压 |
| **开启阈值电压 (Vth)** | 2.5V | MOSFET 开始导通所需的最小电压 |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 10mΩ（@VGS = 10V） | 在高电压下的低导通电阻 |
| | 13mΩ（@VGS = 4.5V） | 在较低电压下的导通电阻 |
| **最大漏极电流 (ID)** | 58A | 最大持续电流 |
| **技术** | Trench | 优化设计以降低开关损耗 |
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### 三、适用领域和模块
1. **电源管理 (Power Management):**
NCE5558K-VB 常用于 **DC-DC 转换器** 和 **电源开关**，由于其低导通电阻，能够有效降低功耗，提高系统的能效和稳定性。
2. **汽车电子 (Automotive Electronics):**
该器件在 **汽车动力系统** 和 **控制模块** 中应用广泛，能够处理高电流负载，为汽车电子设备提供高效的电源管理解决方案。
3. **消费电子 (Consumer Electronics):**
NCE5558K-VB 在 **智能手机**、**平板电脑** 等便携设备中扮演重要角色，提供高效的电源转换，延长设备的电池续航时间。
4. **工业控制 (Industrial Control):**
适用于 **工业自动化系统** 和 **电机驱动**，NCE5558K-VB 提供高可靠性和稳定性，确保工业设备的高效运行。
5. **LED 照明 (LED Lighting):**
在 **LED 驱动电路** 中，该器件可以作为开关元件，提供高效的电源转换和稳定的输出电流，确保照明系统的良好性能。
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NCE5558K-VB 是一款性能优越的 N-沟道 MOSFET，适用于多种现代电源管理和开关应用，满足对高效能和低功耗的需求。
