--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 60V
- VGS 20(±V)
- Vth 3V
- RDS(ON) 4.5mΩ@VGS=10V
- ID 97A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### NCE5080K-VB 产品简介
NCE5080K-VB 是一款高性能单N通道功率MOSFET,采用TO252封装,专为高电压和高电流应用设计。该器件的最大漏源电压(VDS)为60V,支持±20V的栅源电压(VGS),确保广泛的应用灵活性。其阈值电压(Vth)为3V,有助于在较低电压下快速开启。NCE5080K-VB 在VGS为4.5V时的导通电阻(RDS(ON))为12mΩ,而在VGS为10V时进一步降低至4.5mΩ,具备承载高达97A的连续漏电流(ID)。凭借其先进的Trench技术,该MOSFET 提供出色的开关性能和热管理能力,适合用于各类电源管理和驱动电路。
### 详细参数说明
- **型号**: NCE5080K-VB
- **封装**: TO252
- **配置**: 单N通道
- **漏源电压 (VDS)**: 60V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 12mΩ @ VGS = 4.5V
- 4.5mΩ @ VGS = 10V
- **连续漏电流 (ID)**: 97A
- **最大功耗 (Ptot)**: 适合高功率应用
- **工作温度范围**: -55°C 至 +150°C
- **技术**: Trench
### 适用领域与模块
NCE5080K-VB 在多种应用领域展示了其卓越的性能,主要适用以下领域:
1. **电源管理系统**: NCE5080K-VB 是DC-DC转换器和开关电源中的关键元件,能够有效地提高电能转换效率,广泛应用于消费电子、计算机电源及工业电源系统。
2. **电动汽车(EV)**: 该MOSFET 适用于电池管理系统中的开关元件,能够高效控制电池的充电与放电过程,确保电动汽车的性能与续航能力。
3. **LED驱动电路**: 由于其低导通电阻和高电流承载能力,NCE5080K-VB 被广泛用于LED驱动模块中,提供稳定的电流输出,保证LED的均匀亮度和延长使用寿命。
4. **电机驱动与控制**: 该MOSFET 非常适合用于电机控制电路,能够实现高效的调速和运行,广泛应用于自动化设备、机器人及电动工具中。
5. **高频开关应用**: NCE5080K-VB 的快速开关特性使其在高频开关电路中表现出色,确保系统的高效性和稳定性,适用于通信和工业设备中的开关电源。
凭借其优异的性能,NCE5080K-VB 成为多种电源管理和驱动应用的理想选择。
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