--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 60V
- VGS 20(±V)
- Vth 3V
- RDS(ON) 4.5mΩ@VGS=10V
- ID 97A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
NCE5080CK-VB 是一款高性能的单N通道MOSFET,采用TO252封装,专为高电压和高电流应用设计,额定漏源电压(VDS)为60V。凭借其低导通电阻和优越的热管理性能,该MOSFET非常适合用于要求高可靠性和高效率的电源管理解决方案。采用先进的Trench技术,NCE5080CK-VB在各种应用中表现出色,是现代电子设计中的理想选择。
### 详细参数说明
- **型号**: NCE5080CK-VB
- **封装**: TO252
- **配置**: 单N通道
- **漏源电压 (VDS)**: 60V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 12mΩ @ VGS = 4.5V
- 4.5mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏电流 (ID)**: 97A
- **技术**: Trench
### 适用领域和模块
NCE5080CK-VB广泛应用于多个领域,包括:
1. **电源管理**: 在DC-DC转换器和开关电源中,由于其低导通电阻和高电流承载能力,能够显著降低能量损耗,提高系统效率。
2. **电动机控制**: 适用于电动机驱动电路,支持高达97A的漏电流,确保电动机在负载条件下的稳定性与性能。
3. **消费电子**: 在智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电源管理模块中,提供高效的能量转换,增强设备的续航能力。
4. **LED驱动**: 用于LED照明系统,能够实现高效的电流控制,延长LED的使用寿命并提高亮度稳定性。
5. **电池管理系统**: 适合用于电池充放电管理,提高电池的性能和安全性,确保其在高负载情况下的稳定运行。
凭借其卓越的性能和可靠性,NCE5080CK-VB是现代电子设计中不可或缺的重要元件。
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