### 产品简介
NCE4570K-VB是一款高性能单N通道MOSFET，采用TO252封装，适合高电压和高电流应用。该器件的VDS为60V，具备±20V的VGS，提供出色的导通性能，RDS(ON)为12mΩ@VGS=4.5V和4.5mΩ@VGS=10V，能够处理高达97A的漏电流。它采用Trench技术，旨在提供高效能和可靠性，非常适合用于各种电源转换和控制电路。
### 详细参数说明
- **封装类型**: TO252
- **配置**: 单N通道
- **最大漏源电压 (VDS)**: 60V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 12mΩ@VGS=4.5V; 4.5mΩ@VGS=10V
- **最大漏电流 (ID)**: 97A
- **技术**: Trench
### 应用领域与模块
NCE4570K-VB广泛应用于电源管理系统、DC-DC转换器和电动机驱动电路。由于其高电流和低导通电阻特性，特别适合在电池供电设备、消费电子产品和工业电源模块中使用。在汽车电子和可再生能源系统中，该MOSFET也能够提供高效的电源转换和热管理解决方案。
