企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 81 粉丝

NCE4060K-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: NCE4060K-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 40V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2.5V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 85A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### NCE4060K-VB 产品简介

NCE4060K-VB 是一款高效能的单极 N 型 MOSFET,采用 **TO252** 封装,专为高电流和中等电压应用而设计。其最大漏极源极电压 (VDS) 为 **40V**,最大漏极电流 (ID) 可达 **85A**,使其在多种应用中表现出色。该器件的最大栅极源极电压 (VGS) 为 **±20V**,阈值电压 (Vth) 为 **2.5V**,确保其在开关应用中的快速响应。在 VGS 为 4.5V 时,导通电阻 (RDS(ON)) 为 **6mΩ**,而在 VGS 为 10V 时降低至 **5mΩ**,这使得 NCE4060K-VB 在电源管理和功率转换应用中展现了极低的功耗和高效率。

---

### 详细参数说明

| **参数**                  | **值**                   |
|--------------------------|-------------------------|
| **型号**                  | NCE4060K-VB             |
| **封装**                  | TO252                   |
| **配置**                  | 单极 N 型               |
| **最大漏极源极电压 (VDS)** | 40V                     |
| **最大栅极源极电压 (VGS)** | ±20V                    |
| **阈值电压 (Vth)**        | 2.5V                    |
| **导通电阻 (RDS(ON))**    | 6mΩ @ VGS = 4.5V       |
| **导通电阻 (RDS(ON))**    | 5mΩ @ VGS = 10V        |
| **最大漏极电流 (ID)**     | 85A                     |
| **技术**                  | Trench                  |

---

### 适用领域和模块

1. **电源管理系统**  
  NCE4060K-VB 广泛应用于高频开关电源、DC-DC 转换器和 AC-DC 电源模块中,其低导通电阻有助于降低能量损失,提升电源效率。

2. **电动工具和家用电器**  
  该 MOSFET 可以用于电动工具及各种家用电器中,确保其在高负载工作时保持高效稳定的电源供应,满足瞬时高电流需求。

3. **LED 驱动电路**  
  在 LED 照明系统中,NCE4060K-VB 适用于驱动大功率 LED,提供稳定的电流,确保照明系统的高效能和长寿命。

4. **电动汽车充电系统**  
  该器件可用于电动汽车充电桩中的功率转换和管理,支持快速充电功能,提高整体充电效率。

5. **工业自动化设备**  
  NCE4060K-VB 适合用于工业控制和自动化系统,作为开关和驱动器件,确保设备在各种工况下稳定运行。

通过这些应用领域,NCE4060K-VB 证明了其在现代电源系统中的重要性,提供了卓越的性能和可靠性。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    711浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    591浏览量