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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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NCE4012S-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: NCE4012S-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 40V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2.5V
  • RDS(ON) 12mΩ@VGS=10V
  • ID 55A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### NCE4012S-VB 产品简介  

NCE4012S-VB 是一款高效的单 N 通道 MOSFET,采用 TO252 封装,专为电源管理和高电流应用设计。该器件的漏极-源极电压 (V_DS) 可达 40V,栅极-源极电压 (V_GS) 为 ±20V,阈值电压 (V_th) 为 2.5V。在 V_GS 为 4.5V 时,其导通电阻 (R_DS(ON)) 为 14mΩ,而在 V_GS 为 10V 时降至 12mΩ。NCE4012S-VB 的最大漏电流可达到 55A,采用 Trench 技术,具有出色的开关性能和低热量产生的特点,非常适合用于电源转换和高效能电路设计。

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### 详细参数说明  

- **型号**: NCE4012S-VB  
- **封装**: TO252  
- **配置**: 单 N 通道  
- **漏极-源极电压 (V_DS)**: 40V  
- **栅极-源极电压 (V_GS)**: ±20V  
- **阈值电压 (V_th)**: 2.5V  
- **导通电阻 (R_DS(ON))**:  
 - 14mΩ(在 V_GS = 4.5V 时)  
 - 12mΩ(在 V_GS = 10V 时)  
- **最大漏电流 (I_D)**: 55A  
- **技术**: Trench  

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### 适用领域和模块示例  

1. **开关电源**  
  NCE4012S-VB 适用于各种开关电源设计,能够在高效能转换中实现低热量和低功耗,确保电源系统的稳定性和可靠性。

2. **电动机控制**  
  此 MOSFET 是电动机控制电路的理想选择,支持高达 55A 的电流承载能力,适合用于电动工具、家电和工业设备等高功率负载。

3. **LED 驱动**  
  NCE4012S-VB 可用于 LED 驱动电路,提供可靠的电流控制,以确保 LED 的亮度和寿命。其快速开关特性使其在各种照明解决方案中表现出色。

4. **电池管理系统**  
  在电池管理系统中,该器件能够有效地控制充放电过程,确保电池组的安全和高效运行,广泛应用于电动汽车和储能设备中。

NCE4012S-VB 以其高效能、低导通电阻和广泛的适用性,使其成为多种高电流应用的理想选择,涵盖了电源管理、电动机控制、LED 驱动及电池管理等领域。

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