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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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NCE2090K-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: NCE2090K-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 20V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 0.5~1.5V
  • RDS(ON) 4.5mΩ@VGS=4.5V
  • ID 100A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### NCE2090K-VB 产品简介

NCE2090K-VB 是一款高性能的 N-Channel MOSFET,采用 TO252 封装,专为低电压高电流应用设计。其最大漏极-源极电压 (VDS) 为 20V,能够在高达 100A 的漏极电流 (ID) 下可靠工作。该 MOSFET 采用先进的 Trench 技术,具有极低的导通电阻 (RDS(ON)),在 VGS 为 2.5V 时为 6mΩ,在 VGS 为 4.5V 时为 4.5mΩ,确保在开关应用中具有高效率和低功耗。其阈值电压 (Vth) 范围为 0.5V 至 1.5V,使其能够在多种驱动电路中稳定工作。

### NCE2090K-VB 详细参数说明

| 参数              | 说明                        |
|------------------|----------------------------|
| **型号**         | NCE2090K-VB                |
| **封装**         | TO252                      |
| **配置**         | 单 N 通道                   |
| **最大 VDS**     | 20V                        |
| **最大 VGS**     | ±20V                       |
| **阈值电压 (Vth)** | 0.5V ~ 1.5V               |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 6mΩ @ VGS = 2.5V        |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 4.5mΩ @ VGS = 4.5V      |
| **最大漏电流 (ID)** | 100A                      |
| **技术**         | Trench                     |

### 适用领域和模块示例

1. **电源管理**: NCE2090K-VB 可广泛应用于开关电源设计,作为高效开关元件,在降压和升压转换器中提供低导通损耗,从而提高整体能效。

2. **电机控制**: 在电机驱动系统中,该 MOSFET 可用于驱动直流电机和步进电机,能够在快速开关状态下提供稳定的电流,确保电机的高效运行。

3. **LED 驱动**: 在 LED 照明应用中,NCE2090K-VB 可作为高效的开关器件,确保快速响应和低功耗,适合用于大功率 LED 驱动模块。

4. **汽车电子**: 该器件在汽车电子中可用于负载开关、供电管理和电池监控系统,确保高电流处理能力和可靠性,适用于电动汽车和混合动力汽车。

5. **消费电子产品**: NCE2090K-VB 的小型化和高效能使其适用于各种消费电子产品,如便携式充电器、移动设备和智能家居产品,提升产品的能效和便携性。

通过这些应用示例,NCE2090K-VB 显示出其在现代电子设计中的广泛适用性,成为高效能和高可靠性系统的理想选择。

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