企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 81 粉丝

NCE1520KA-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: NCE1520KA-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 150V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2.5V
  • RDS(ON) 74mΩ@VGS=10V
  • ID 25.4A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### NCE1520KA-VB 产品简介

NCE1520KA-VB 是一款单极 N 型 MOSFET,采用 **TO252** 封装,专为高电压和中等电流的应用设计。该器件的最大漏极源极电压 (VDS) 为 **150V**,可以在高压环境下稳定工作。其最大栅极源极电压 (VGS) 为 **±20V**,为电路设计带来更大的灵活性。该 MOSFET 的阈值电压 (Vth) 为 **2.5V**,且其导通电阻 (RDS(ON)) 在 VGS = 10V 时为 **74mΩ**,支持最大漏极电流 (ID) 为 **25.4A**。凭借 **Trench 技术**,NCE1520KA-VB 实现了良好的开关性能和低损耗,在电源管理和电机控制等领域有广泛应用。

---

### 详细参数说明

| **参数**                  | **值**                   |
|--------------------------|-------------------------|
| **型号**                  | NCE1520KA-VB            |
| **封装**                  | TO252                   |
| **配置**                  | 单极 N 型               |
| **最大漏极源极电压 (VDS)** | 150V                    |
| **最大栅极源极电压 (VGS)** | ±20V                    |
| **阈值电压 (Vth)**        | 2.5V                    |
| **导通电阻 (RDS(ON))**    | 74mΩ @ VGS = 10V        |
| **最大漏极电流 (ID)**     | 25.4A                   |
| **技术**                  | Trench                  |

---

### 适用领域和模块  

1. **电源管理和转换器**  
  NCE1520KA-VB 非常适合用于高电压的 DC-DC 转换器、AC-DC 电源及稳压模块。在这些应用中,该器件能够有效减少开关损耗,确保电源系统的稳定运行,提高整体效率。

2. **工业控制和自动化**  
  在工业设备中,该 MOSFET 可用于中高功率电机驱动与控制模块,为自动化系统提供稳定的开关控制,满足生产线和设备的高可靠性需求。

3. **光伏和风能系统**  
  NCE1520KA-VB 可作为逆变器中的关键开关元件,帮助高效地管理光伏或风能系统中的电力流动,并确保系统运行的安全性和高效性。

4. **电动工具和电池系统**  
  由于其出色的电压和电流处理能力,该 MOSFET 能够用于电动工具及其电池管理系统 (BMS),提供高效的开关控制,延长电池使用寿命,提升设备性能。

5. **汽车电子系统**  
  在汽车电子中,该器件适用于高压控制系统,如电动窗、雨刷和风扇驱动模块等,提供可靠的功率控制和热管理能力,确保电子模块的稳定性。

NCE1520KA-VB 以其优异的性能和可靠性,适用于各种高效能设计,是电力控制和管理领域的理想选择。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    711浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    591浏览量