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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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NCE01P13K-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管

型号: NCE01P13K-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-P-Channel
  • VDS -100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth -2V
  • RDS(ON) 100mΩ@VGS=10V
  • ID -16A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### NCE01P13K-VB 产品简介

NCE01P13K-VB 是一款高性能的单 P 通道 MOSFET,采用 TO252 封装,专为高电压和高电流应用设计。其最大漏源电压(VDS)可达 -100V,能够支持 ±20V 的栅源电压(VGS),在各种电气环境中表现稳定。该器件的阈值电压(Vth)为 -2V,使其在较低电压下即可高效开启,适合对电流开关响应速度要求较高的应用。

在开关状态下,NCE01P13K-VB 的导通电阻(RDS(ON))在 VGS=10V 时为 100mΩ,这意味着其在大电流(ID 为 -16A)应用中功耗较低,能够有效降低系统发热并提高整体效率。其采用的 Trench 技术保证了器件在高频开关和热管理方面的优越性能,能够满足现代电子产品对高效能和高可靠性的需求。

### NCE01P13K-VB 详细参数说明

| 参数              | 值                     |
|------------------|----------------------|
| **型号**         | NCE01P13K-VB         |
| **封装**         | TO252                |
| **配置**         | 单 P 通道             |
| **VDS**          | -100V                |
| **VGS**          | ±20V                 |
| **阈值电压 (Vth)** | -2V                 |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 120mΩ @ VGS=4.5V  |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 100mΩ @ VGS=10V   |
| **最大漏电流 (ID)**  | -16A                |
| **技术**         | Trench               |

### 应用领域和模块示例

1. **电源管理模块**:NCE01P13K-VB 在 DC-DC 转换器和开关电源设计中表现出色,其低导通电阻和高电流能力有助于提高能效,降低系统热损耗,确保电源的稳定性和可靠性。

2. **电动汽车**:在电动汽车的电池管理系统和电机驱动模块中,NCE01P13K-VB 能够实现高效的电流控制,适应电池充电与放电的需求,提高电池的使用效率,从而增强电动汽车的续航能力。

3. **LED 驱动电路**:在 LED 照明应用中,该 MOSFET 可以用于电流调节和开关控制,保证 LED 的稳定亮度并延长其使用寿命,适合用于各类照明系统。

4. **家用电器**:在家用电器如洗衣机、空调等中,NCE01P13K-VB 可以作为开关元件,提供可靠的电流控制,确保设备的高效运行和能耗管理。

5. **消费电子产品**:该 MOSFET 在智能家居设备、音响系统及其他消费电子产品的电源管理中应用广泛,满足现代设备对高效率和高可靠性的设计需求。

综上所述,NCE01P13K-VB 是一款性能优越的 P 通道 MOSFET,能够在多种高电压和高电流应用中提供可靠的解决方案,满足严苛的工作条件和高效能的设计要求。

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