--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 100V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.8V
- RDS(ON) 55mΩ@VGS=10V
- ID 25A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### NCE0117K-VB 产品简介
NCE0117K-VB 是一款高性能单 N 通道 MOSFET,采用 TO252 封装,旨在满足现代电子设备的高电压和高电流需求。该 MOSFET 的最大漏极-源极电压(VDS)为 100V,适合用于高压应用。其阈值电压(Vth)为 1.8V,确保在低栅极电压下实现良好的开关性能。NCE0117K-VB 在 VGS 为 4.5V 时,导通电阻(RDS(ON))为 57mΩ,在 VGS 为 10V 时为 55mΩ,能够承载最大 25A 的漏极电流(ID)。该产品采用先进的 Trench 技术,具有优越的热管理和能效表现,广泛应用于电源转换和功率管理领域。
### 详细参数说明
- **型号**:NCE0117K-VB
- **封装**:TO252
- **配置**:单 N 通道
- **最大漏极-源极电压 (VDS)**:100V
- **最大栅极-源极电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 57mΩ @ VGS = 4.5V
- 55mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**:25A
- **技术**:Trench
### 适用领域和模块示例
NCE0117K-VB MOSFET 由于其优秀的性能,适合用于多种应用领域和模块,包括:
1. **开关电源(SMPS)**:在开关电源中,NCE0117K-VB 可作为高压开关元件,提供高效的电能转换,适用于各种工业和消费电子产品。
2. **DC-DC 转换器**:在直流-直流转换器应用中,NCE0117K-VB 可以实现高效的电压调整,尤其是在电池供电的设备和电动汽车的电源管理系统中。
3. **电机驱动**:在电机控制系统中,该 MOSFET 可以用于驱动电动机,实现高效的能量传输和控制,广泛应用于电动工具和自动化设备。
4. **LED 驱动电源**:NCE0117K-VB 可用于高功率 LED 驱动,确保稳定的电流供应,以提高照明效率和延长使用寿命。
5. **消费电子产品**:在智能手机、平板电脑等消费电子产品的电源管理中,NCE0117K-VB 能够优化能效和提升系统性能。
通过这些应用,NCE0117K-VB MOSFET 显示出其在现代电子产品设计中的重要性,满足高效能、高可靠性和高集成度的需求。
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