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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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NCE0107AK-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: NCE0107AK-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
  • ID 15A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

## 一、NCE0107AK-VB MOSFET 产品简介  
NCE0107AK-VB 是一款 **单N沟道 MOSFET**,采用 **TO252** 封装设计,专为高电压和中等电流应用而设计。该器件具有 100V 的最大漏源电压(V\(_{DS}\))和 ±20V 的栅源电压(V\(_{GS}\))额定值,非常适合用于高压电源转换和开关应用。其阈值电压(V\(_{th}\))为 1.8V,确保在低栅压下也能有效开通。NCE0107AK-VB 具有 **114mΩ** 的导通电阻(R\(_{DS(ON)}\) @ V\(_{GS}\) = 10V),能够有效降低功耗并提供高达 15A 的持续漏极电流,适合用于电源管理、工业控制和电动机驱动等多个领域。

---

## 二、NCE0107AK-VB 的详细参数说明  

| **参数**              | **值**                   | **说明**                                         |
|-----------------------|--------------------------|--------------------------------------------------|
| **封装**               | TO252                    | 提供良好的热管理和机械强度                      |
| **配置**               | 单N沟道                  | 适用于开关控制和低侧驱动                        |
| **V\(_{DS}\)**         | 100V                     | 最大漏源电压,适合高电压应用                    |
| **V\(_{GS}\)**         | ±20V                     | 栅极耐压,确保设备在不同输入电压条件下的稳定性   |
| **阈值电压 (V\(_{th}\))** | 1.8V               | MOSFET 的开启电压,保证在低电压驱动时也能开通    |
| **R\(_{DS(ON)}\)**     | 114mΩ @ V\(_{GS}\) = 10V | 较低导通电阻,降低电能损耗                      |
| **最大漏极电流 (I\(_{D}\))** | 15A              | 支持中等电流应用,如电源和电机驱动               |
| **技术**               | Trench 沟槽型            | 提供更高的功率密度和低损耗性能                  |

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## 三、NCE0107AK-VB 适用领域和模块举例  
1. **电源管理模块**  
  NCE0107AK-VB 可广泛用于 **开关电源** 和 **DC-DC 转换器**,在智能家居、消费电子和工业设备中提供高效率的电源转换和稳定的电流供应。

2. **电动机驱动与控制**  
  该器件适合用于电动机驱动应用,尤其是 **直流电机** 和 **步进电机** 的控制电路,能够有效提高电机的性能,减少能量损耗。

3. **照明控制系统**  
  NCE0107AK-VB 在 LED 照明系统中也能发挥重要作用,作为 **调光控制器** 和 **开关器件**,能够支持高效、灵活的照明解决方案。

4. **工业自动化设备**  
  在工业控制系统中,该 MOSFET 常用于 **电源管理** 和 **负载开关**,保证设备在高电流、高电压下稳定工作。

5. **汽车电子**  
  由于其高电压和电流处理能力,NCE0107AK-VB 适合用于车载电子设备,如 **电动助力转向系统 (EPS)** 和 **电源分配模块**,为汽车提供高效、安全的电力管理。

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NCE0107AK-VB MOSFET 凭借其优异的性能和适应性,是高电压电源管理和驱动控制应用中的理想选择,适合于多种高效电路设计需求。

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