企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 81 粉丝

N327AD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: N327AD-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
  • ID 70A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### N327AD-VB 产品简介

N327AD-VB 是一款高效能的单 N 沟道 MOSFET,采用 TO252 封装,专为低电压和高电流应用设计。该器件的最大漏极源极电压(VDS)为 30V,适用于多种电源管理和开关电路。其阈值电压(Vth)为 1.7V,使得该 MOSFET 在较低的栅极驱动电压下能够快速导通,从而提高开关效率。N327AD-VB 使用 Trench 技术,具有非常低的导通电阻(RDS(ON)),分别为 9mΩ(VGS=4.5V)和 7mΩ(VGS=10V),确保在高电流应用中提供优异的性能。这种高效率和小巧的封装设计,使得 N327AD-VB 在空间受限的应用中表现出色。

---

### 详细参数说明

| **参数**                  | **说明**                    |
|------------------------|---------------------------|
| **型号**                | N327AD-VB                 |
| **封装**                | TO252                     |
| **配置**                | 单 N 沟道 MOSFET            |
| **最大漏极源极电压 (VDS)** | 30V                       |
| **最大栅极源极电压 (VGS)** | ±20V                      |
| **阈值电压 (Vth)**       | 1.7V                      |
| **导通电阻 (RDS(ON))**    | 9mΩ @ VGS=4.5V
7mΩ @ VGS=10V |
| **最大漏极电流 (ID)**     | 70A                       |
| **技术**                 | Trench                    |

---

### 应用领域和模块示例

1. **开关电源与DC-DC转换器**  
N327AD-VB 是开关电源和 DC-DC 转换器中的理想选择,其高效率和低导通电阻可在高负载情况下降低功耗,提高电源转换效率,适用于手机充电器、电脑电源等。

2. **电池管理系统(BMS)**  
该 MOSFET 在电池管理系统中用于电池的充放电控制,能够在高电流条件下有效降低热损耗,提升系统的安全性和电池的使用寿命。

3. **电动机控制**  
N327AD-VB 可以用于小型电动机的驱动,如电动工具和家用电器中的直流电机驱动。其高电流承载能力确保了电动机的快速响应和高效率运行。

4. **LED 照明应用**  
该器件适合于 LED 照明和驱动电路,能够提供稳定的电流,确保 LED 的高效能和长寿命,尤其在调光和高亮度应用中表现优异。

5. **汽车电子设备**  
在汽车电子产品中,如电动窗控制、照明系统和电子控制单元(ECU)中,N327AD-VB 提供了可靠的电流管理解决方案,满足汽车对高效能和高可靠性的需求。

---

N327AD-VB 以其优异的性能和可靠性,成为多种电子应用中的关键组件,特别是在需要高效率和小型化设计的场合中,为工程师提供了有效的解决方案。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    728浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    605浏览量