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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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N307AD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: N307AD-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 80A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### N307AD-VB 产品简介

N307AD-VB 是一款高性能的单 N 沟道 MOSFET,采用 TO252 封装,专为低电压和高电流应用设计。该器件的最大漏极源极电压(VDS)为 30V,适合多种电源管理和开关电路的需求。其阈值电压(Vth)为 1.7V,能够在较低的门极驱动电压下快速导通,提升了整体开关效率。N307AD-VB 采用 Trench 技术,具有极低的导通电阻(RDS(ON)),分别为 6mΩ(VGS=4.5V)和 5mΩ(VGS=10V),确保在高电流应用中提供优异的性能。凭借其高效率和小巧的封装设计,N307AD-VB 是空间受限应用中的理想选择。

---

### 详细参数说明

| **参数**                  | **说明**                    |
|------------------------|---------------------------|
| **型号**                | N307AD-VB                 |
| **封装**                | TO252                     |
| **配置**                | 单 N 沟道 MOSFET            |
| **最大漏极源极电压 (VDS)** | 30V                       |
| **最大栅极源极电压 (VGS)** | ±20V                      |
| **阈值电压 (Vth)**       | 1.7V                      |
| **导通电阻 (RDS(ON))**    | 6mΩ @ VGS=4.5V
5mΩ @ VGS=10V |
| **最大漏极电流 (ID)**     | 80A                       |
| **技术**                 | Trench                    |

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### 应用领域和模块示例

1. **电源管理**  
N307AD-VB 是开关电源和 DC-DC 转换器的理想选择。其高效率和低导通电阻使得电源在高负载情况下运行时能显著降低功耗,提升整体系统性能。

2. **电池管理系统(BMS)**  
在电池管理系统中,N307AD-VB 用于控制电池的充放电过程,尤其是在高电流环境中,低导通电阻能有效降低热损耗,从而提高电池的使用寿命。

3. **电动机驱动**  
该 MOSFET 可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中。由于其高电流承载能力,能够实现快速开关控制,提高电机响应速度和效率。

4. **LED 驱动**  
N307AD-VB 适用于 LED 照明系统,能够提供稳定的电流,确保 LED 的高效能和长寿命,尤其在调光系统中表现出色。

5. **消费电子产品**  
该器件在各种消费电子产品中如充电器、适配器和小型家电中得到了广泛应用。其小型封装和高性能特点,使其适合现代家电对空间和能效的要求。

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N307AD-VB 以其卓越的性能和可靠性,成为多种电子应用中的关键组件,特别是在需要高效率和小型化设计的场合中,提供了有效的解决方案。

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