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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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N3005L-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: N3005L-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 2mΩ@VGS=10V
  • ID 100A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### N3005L-VB 产品简介  

N3005L-VB是一款高性能的单N通道MOSFET,采用TO252封装,专为需要高电流和低导通损耗的应用场合而设计。其最大漏极-源极电压(VDS)为30V,栅源电压(VGS)为±20V,确保了其在高负载和高动态工作条件下的稳定性。MOSFET的阈值电压(Vth)为1.7V,可以在较低的栅极驱动电压下导通,并支持高达100A的连续电流。N3005L-VB的低导通电阻(RDS(ON))为3mΩ(@VGS=4.5V)和2mΩ(@VGS=10V),适合高效率应用场景中的大电流控制。其沟槽(Trench)技术提高了开关速度并降低了导通损耗,是理想的电源管理和电机驱动解决方案。  

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### N3005L-VB 详细参数说明  

| **参数**               | **值**                    |
|----------------------|--------------------------|
| **型号**               | N3005L-VB                |
| **封装**               | TO252                    |
| **配置**               | 单N通道                  |
| **VDS**              | 30V                      |
| **VGS**              | ±20V                     |
| **Vth**              | 1.7V                     |
| **RDS(ON)**          | 3mΩ @ VGS=4.5V          |
| **RDS(ON)**          | 2mΩ @ VGS=10V           |
| **ID**               | 100A                     |
| **技术**             | 沟槽技术(Trench)        |

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### 应用领域与模块示例  

1. **电源管理系统**  
  N3005L-VB广泛用于服务器电源、DC-DC转换器和稳压电路中。其超低导通电阻有助于降低能量损耗,提高功率转换效率。  

2. **电池管理系统(BMS)**  
  在锂离子电池组的充放电管理中,该MOSFET可用于实现高电流开关,并保证系统在充电和放电过程中保持高效率与低热耗。

3. **电机驱动与控制**  
  N3005L-VB适用于电动工具、电动自行车和工业电机的驱动模块。其高电流承载能力和快速开关特性确保了电机在重负载和动态调节情况下的平稳运行。  

4. **汽车电子系统**  
  在电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)的应用中,该MOSFET用于控制电流驱动模块及电池保护系统,保证高电流的稳定供应和系统安全。  

5. **LED驱动与照明控制**  
  由于其低导通电阻和高电流能力,N3005L-VB也非常适合用于大功率LED照明应用。在街道照明和建筑照明中,其效率优势能够降低运行成本,并提高系统可靠性。

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N3005L-VB凭借其卓越的低导通损耗、高电流承载能力和高效率,成为理想的选择,适用于多种需要高性能MOSFET的领域和模块,如电源管理、电机驱动和汽车电子等。

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