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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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MTD6N20T4G-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: MTD6N20T4G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 200V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 245mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、MTD6N20T4G-VB 产品简介

MTD6N20T4G-VB 是一款高性能的 **单 N 沟道 (Single N-Channel)** MOSFET,采用 **TO252 封装**,设计用于高电压应用。该器件具有 **200V** 的漏源电压 (VDS) 和 **±20V** 的栅源电压 (VGS),其阈值电压为 **3V**。在 **VGS = 10V** 时,该 MOSFET 的导通电阻 (RDS(ON)) 为 **245mΩ**,最大漏极电流 (ID) 为 **10A**。MTD6N20T4G-VB 采用 **Trench 技术**,以其低导通电阻和高开关速度,非常适合用于电源管理、照明及其他高功率应用。

---

### 二、MTD6N20T4G-VB 详细参数说明

| 参数                 | 规格                             |
|--------------------|--------------------------------|
| **封装**             | TO252                         |
| **配置**             | Single N-Channel              |
| **漏源电压 (VDS)**    | 200 V                         |
| **栅源电压 (VGS)**    | ±20 V                        |
| **阈值电压 (Vth)**     | 3 V                           |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 245 mΩ @ VGS = 10 V          |
| **漏极电流 (ID)**      | 10 A                          |
| **技术**             | Trench                        |

MTD6N20T4G-VB 以其良好的导电特性和可靠性,适用于多种高电压应用,确保设备的性能与效率。

---

### 三、应用领域与模块

1. **电源管理**  
  MTD6N20T4G-VB 在电源管理领域中应用广泛,特别是在高电压直流-直流转换器和电源调节模块中,能够有效地转换和调节电压,保证电源系统的稳定性和效率。

2. **开关电源 (SMPS)**  
  该 MOSFET 适用于开关电源的设计,尤其是在高频开关应用中,能够实现高效的能量转换,广泛应用于计算机电源、充电器及其他消费电子产品中。

3. **LED 驱动电路**  
  MTD6N20T4G-VB 适合用于 LED 照明驱动电路,能够高效地调节 LED 的电流,提供稳定的亮度输出,广泛用于商业照明、户外照明及家居照明系统中。

4. **电机驱动**  
  该 MOSFET 可用于电机驱动应用,适合用于直流电机、步进电机的控制,能够提供足够的电流支持,广泛应用于电动工具、自动化设备及机器人技术中。

5. **工业控制**  
  MTD6N20T4G-VB 在工业控制领域也有应用,包括各种工业设备中的电源管理和信号调节,确保系统的高效性与可靠性。

通过其优越的性能,MTD6N20T4G-VB 成为高电压应用中理想的选择,为各类电子设备的高效运行提供支持。

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