--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 200V
- VGS 20(±V)
- Vth 3V
- RDS(ON) 245mΩ@VGS=10V
- ID 10A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、MTD6N20T4G-VB 产品简介
MTD6N20T4G-VB 是一款高性能的 **单 N 沟道 (Single N-Channel)** MOSFET,采用 **TO252 封装**,设计用于高电压应用。该器件具有 **200V** 的漏源电压 (VDS) 和 **±20V** 的栅源电压 (VGS),其阈值电压为 **3V**。在 **VGS = 10V** 时,该 MOSFET 的导通电阻 (RDS(ON)) 为 **245mΩ**,最大漏极电流 (ID) 为 **10A**。MTD6N20T4G-VB 采用 **Trench 技术**,以其低导通电阻和高开关速度,非常适合用于电源管理、照明及其他高功率应用。
---
### 二、MTD6N20T4G-VB 详细参数说明
| 参数 | 规格 |
|--------------------|--------------------------------|
| **封装** | TO252 |
| **配置** | Single N-Channel |
| **漏源电压 (VDS)** | 200 V |
| **栅源电压 (VGS)** | ±20 V |
| **阈值电压 (Vth)** | 3 V |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 245 mΩ @ VGS = 10 V |
| **漏极电流 (ID)** | 10 A |
| **技术** | Trench |
MTD6N20T4G-VB 以其良好的导电特性和可靠性,适用于多种高电压应用,确保设备的性能与效率。
---
### 三、应用领域与模块
1. **电源管理**
MTD6N20T4G-VB 在电源管理领域中应用广泛,特别是在高电压直流-直流转换器和电源调节模块中,能够有效地转换和调节电压,保证电源系统的稳定性和效率。
2. **开关电源 (SMPS)**
该 MOSFET 适用于开关电源的设计,尤其是在高频开关应用中,能够实现高效的能量转换,广泛应用于计算机电源、充电器及其他消费电子产品中。
3. **LED 驱动电路**
MTD6N20T4G-VB 适合用于 LED 照明驱动电路,能够高效地调节 LED 的电流,提供稳定的亮度输出,广泛用于商业照明、户外照明及家居照明系统中。
4. **电机驱动**
该 MOSFET 可用于电机驱动应用,适合用于直流电机、步进电机的控制,能够提供足够的电流支持,广泛应用于电动工具、自动化设备及机器人技术中。
5. **工业控制**
MTD6N20T4G-VB 在工业控制领域也有应用,包括各种工业设备中的电源管理和信号调节,确保系统的高效性与可靠性。
通过其优越的性能,MTD6N20T4G-VB 成为高电压应用中理想的选择,为各类电子设备的高效运行提供支持。
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