--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 200V
- VGS 20(±V)
- Vth 3V
- RDS(ON) 245mΩ@VGS=10V
- ID 10A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### MTD6N20E-VB 产品简介
MTD6N20E-VB 是一款高效能的单N通道功率 MOSFET,采用 **TO252 封装**,设计用于高电压和中等电流应用。其漏极-源极电压 (**VDS**) 高达 **200V**,适合在高压环境下工作,广泛应用于电源管理和开关电路。该器件的栅极-源极电压 (**VGS**) 可达 ±20V,确保在各种驱动条件下具备良好的开关性能。阈值电压 (**Vth**) 为 **3V**,使得在较低驱动电压下即可实现有效开启。导通电阻 (**RDS(ON)**) 在 VGS 为 **10V** 时为 **245mΩ**,可有效降低导通损耗,从而提升系统的能效和可靠性。
---
### 详细参数说明
| **参数** | **规格** |
|--------------------------|-------------------------------|
| **型号** | MTD6N20E-VB |
| **封装** | TO252 |
| **配置** | 单N通道 |
| **漏极-源极电压 (VDS)** | 200V |
| **栅极-源极电压 (VGS)** | ±20V |
| **阈值电压 (Vth)** | 3V |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 245mΩ @ VGS=10V |
| **漏极电流 (ID)** | 10A |
| **技术** | Trench |
---
### 应用领域和模块示例
**MTD6N20E-VB** 在多个领域和模块中具有广泛的应用,具体示例如下:
1. **开关电源 (SMPS)**
- 该 MOSFET 常用于开关电源设计中,能够在高压下高效地进行电能转换,适用于计算机电源、LED驱动电源和其他电源模块,以提高整体能效。
2. **电机驱动**
- 在电动机控制应用中,MTD6N20E-VB 能够作为高效的开关器件,适用于直流电机和步进电机的驱动,实现平稳的控制和高效的功率传递,广泛应用于工业自动化设备和家用电器。
3. **LED 照明**
- 此 MOSFET 适用于 LED 驱动电路,能够提供稳定的电流输出,确保 LED 的一致性和亮度,特别适合用于商业照明和高功率 LED 应用。
4. **电源管理 IC**
- MTD6N20E-VB 可用于电源管理 IC 中的开关电路,适合在电池管理系统和充电器中进行高效的能量调度,以优化电池充放电过程。
5. **电气保护**
- 在高压应用中,该 MOSFET 也可用作电路保护设备,如过压保护和短路保护,通过快速响应和高可靠性,提升系统的安全性和稳定性。
---
MTD6N20E-VB 是一款强大的功率 MOSFET,凭借其高电压和优异的导通特性,成为众多应用中的理想选择。
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