企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 77 粉丝

MTD6N20E-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: MTD6N20E-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 200V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 245mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### MTD6N20E-VB 产品简介

MTD6N20E-VB 是一款高效能的单N通道功率 MOSFET,采用 **TO252 封装**,设计用于高电压和中等电流应用。其漏极-源极电压 (**VDS**) 高达 **200V**,适合在高压环境下工作,广泛应用于电源管理和开关电路。该器件的栅极-源极电压 (**VGS**) 可达 ±20V,确保在各种驱动条件下具备良好的开关性能。阈值电压 (**Vth**) 为 **3V**,使得在较低驱动电压下即可实现有效开启。导通电阻 (**RDS(ON)**) 在 VGS 为 **10V** 时为 **245mΩ**,可有效降低导通损耗,从而提升系统的能效和可靠性。

---

### 详细参数说明

| **参数**                   | **规格**                      |
|--------------------------|-------------------------------|
| **型号**                   | MTD6N20E-VB                   |
| **封装**                   | TO252                         |
| **配置**                   | 单N通道                       |
| **漏极-源极电压 (VDS)**      | 200V                          |
| **栅极-源极电压 (VGS)**      | ±20V                          |
| **阈值电压 (Vth)**           | 3V                            |
| **导通电阻 (RDS(ON))**      | 245mΩ @ VGS=10V              |
| **漏极电流 (ID)**           | 10A                           |
| **技术**                   | Trench                       |

---

### 应用领域和模块示例

**MTD6N20E-VB** 在多个领域和模块中具有广泛的应用,具体示例如下:

1. **开关电源 (SMPS)**  
  - 该 MOSFET 常用于开关电源设计中,能够在高压下高效地进行电能转换,适用于计算机电源、LED驱动电源和其他电源模块,以提高整体能效。

2. **电机驱动**  
  - 在电动机控制应用中,MTD6N20E-VB 能够作为高效的开关器件,适用于直流电机和步进电机的驱动,实现平稳的控制和高效的功率传递,广泛应用于工业自动化设备和家用电器。

3. **LED 照明**  
  - 此 MOSFET 适用于 LED 驱动电路,能够提供稳定的电流输出,确保 LED 的一致性和亮度,特别适合用于商业照明和高功率 LED 应用。

4. **电源管理 IC**  
  - MTD6N20E-VB 可用于电源管理 IC 中的开关电路,适合在电池管理系统和充电器中进行高效的能量调度,以优化电池充放电过程。

5. **电气保护**  
  - 在高压应用中,该 MOSFET 也可用作电路保护设备,如过压保护和短路保护,通过快速响应和高可靠性,提升系统的安全性和稳定性。

---

MTD6N20E-VB 是一款强大的功率 MOSFET,凭借其高电压和优异的导通特性,成为众多应用中的理想选择。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    112浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    100浏览量