企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 77 粉丝

MTD6N10-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: MTD6N10-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
  • ID 15A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、MTD6N10-VB 产品简介  
MTD6N10-VB 是一款高性能的 **N-Channel MOSFET**,采用 **TO252 封装**,专为中压应用而设计。该器件具有最大漏源电压 (**VDS**) 高达 **100V**,适合用于多种电源管理和开关控制场合。它的栅源电压 (**VGS**) 最大为 **±20V**,并且在 **Vth** 为 **1.8V** 的情况下,能迅速导通,表现出优越的开关性能。MTD6N10-VB 的 **导通电阻 (RDS(ON))** 在 **VGS=10V** 时为 **114mΩ**,这使其在应用中具备较低的导通损耗,提升系统效率。最大漏极电流 (**ID**) 为 **15A**,适用于多种中等功率的开关电源和驱动电路。

---

### 二、MTD6N10-VB 详细参数说明  

| **参数**                | **描述与值**                          |
|-------------------------|---------------------------------------|
| **封装 (Package)**      | TO252                                 |
| **极性 (Configuration)**| 单 N-沟道 MOSFET                      |
| **漏源电压 (VDS)**       | 100V                                  |
| **栅源电压 (VGS)**       | ±20V                                  |
| **开启电压 (Vth)**       | 1.8V                                  |
| **导通电阻 (RDS(ON))**  | 114mΩ @ VGS = 10V                    |
| **漏极电流 (ID)**        | 15A                                   |
| **技术 (Technology)**   | Trench                                |
| **最大功耗 (Pd)**        | 40W(取决于散热条件)                |
| **工作温度范围**         | -55°C 至 150°C                       |

---

### 三、MTD6N10-VB 应用领域与模块  

MTD6N10-VB 的特性使其在多个领域和模块中具有广泛的应用,以下是一些适合该 MOSFET 的应用示例:

1. **开关电源**  
  - MTD6N10-VB 可用于 **开关电源 (SMPS)** 和 **DC-DC 转换器**,通过高效的开关控制实现电能的转换,广泛应用于各种电子设备的电源管理。

2. **LED 驱动**  
  - 该器件适合用于 **LED 照明控制**,能够有效调节LED的亮度,应用于商业照明、家居照明以及汽车灯光控制等领域。

3. **电动机控制**  
  - MTD6N10-VB 可用于 **电动机驱动电路**,能够快速响应并提供稳定的电流,适用于家用电器和工业设备的电机控制。

4. **电池管理系统 (BMS)**  
  - 在电池管理系统中,MTD6N10-VB 可以作为开关元件,管理电池的充放电过程,提高电池的安全性与效率,尤其在电动车和储能系统中应用广泛。

5. **逆变器**  
  - 该 MOSFET 可用于 **逆变器** 的设计,将直流电转换为交流电,广泛应用于太阳能发电系统、风能发电系统等可再生能源解决方案中。

6. **消费电子**  
  - MTD6N10-VB 适合用于各类 **消费电子设备**,如智能手机、平板电脑及便携式设备的电源管理模块,帮助提升产品的整体性能与可靠性。

通过这些应用示例,MTD6N10-VB 展示了其在现代电子设备中对高效率、低损耗和高可靠性的广泛适用性。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    112浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    100浏览量