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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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MTD5P06VT4G-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管

型号: MTD5P06VT4G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-P-Channel
  • VDS -60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth -1.7V
  • RDS(ON) 61mΩ@VGS=10V
  • ID -30A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### MTD5P06VT4G-VB 产品简介

MTD5P06VT4G-VB 是一款高效能单P通道功率 MOSFET,采用 **TO252 封装**,专为高电流和低压应用设计。其漏极-源极电压 (**VDS**) 可达 **-60V**,适合用于多种电源管理和开关应用。该器件的栅极-源极电压 (**VGS**) 可以达到 ±20V,使其在开关性能方面表现优异。阈值电压 (**Vth**) 为 **-1.7V**,确保器件能够在较低的驱动电压下启动。其导通电阻 (**RDS(ON)**) 在 VGS 为 **4.5V** 时为 **72mΩ**,在 VGS 为 **10V** 时为 **61mΩ**,这使得该器件在高电流应用中表现出较低的导通损耗,增强了整体能效和可靠性。

---

### 详细参数说明

| **参数**                   | **规格**                      |
|--------------------------|-------------------------------|
| **型号**                   | MTD5P06VT4G-VB                |
| **封装**                   | TO252                         |
| **配置**                   | 单P通道                       |
| **漏极-源极电压 (VDS)**      | -60V                          |
| **栅极-源极电压 (VGS)**      | ±20V                          |
| **阈值电压 (Vth)**           | -1.7V                         |
| **导通电阻 (RDS(ON))**      | 72mΩ @ VGS=4.5V              |
|                          | 61mΩ @ VGS=10V                |
| **漏极电流 (ID)**           | -30A                          |
| **技术**                   | Trench                       |

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### 应用领域和模块示例

**MTD5P06VT4G-VB** 在多个领域和模块中具有广泛的应用,具体示例如下:

1. **电源管理系统**  
  - 此 MOSFET 适用于电源管理电路,例如 DC-DC 转换器,能够高效地调节电压和电流,确保为各种电子设备提供稳定的电源供应,广泛应用于消费电子和工业设备中。

2. **电动机驱动**  
  - 在电动机控制应用中,MTD5P06VT4G-VB 能够驱动 P 通道电动机,适用于电动工具和家用电器,通过其高效的电流控制特性,确保电动机的顺畅运行和高效率。

3. **LED 驱动电路**  
  - 此 MOSFET 适用于 LED 驱动设计,能够提供稳定的电流输出,从而确保 LED 照明的一致性和亮度,广泛用于商业照明和家居装饰照明中。

4. **开关电源**  
  - MTD5P06VT4G-VB 可用于开关电源设计,能够高效处理电源转换,特别适合低电压高电流的应用场景,提升能效,降低能量损失,适用于多种电子产品。

5. **电池管理系统 (BMS)**  
  - 在电池管理系统中,该 MOSFET 可用于优化电池的充放电过程,确保高功率电池组的安全性和高效性,适合电动车辆和可再生能源储能系统。

---

MTD5P06VT4G-VB

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