--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 60V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
- ID 18A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
**MTD4P05-VB** 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,封装类型为 TO252。该器件采用先进的 Trench 技术,具有出色的导通电阻和高电流处理能力,非常适合于各种低压和高效能电源管理应用。其最大漏源电压 (VDS) 可达 60V,支持高达 18A 的漏电流,确保在多个应用场景中提供稳定可靠的性能。这款 MOSFET 的栅源电压 (VGS) 范围为 ±20V,极大地增强了其在不同工作条件下的适应性。
### 详细参数说明
- **型号**:MTD4P05-VB
- **封装**:TO252
- **配置**:单 N 通道
- **漏源电压 (VDS)**:60V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 85mΩ @ VGS = 4.5V
- 73mΩ @ VGS = 10V
- **漏电流 (ID)**:18A
- **技术**:Trench
### 应用领域和模块
1. **电源管理**:
MTD4P05-VB 常被用于开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器中,作为高效的开关器件,能够提供稳定的电力输出和高能量转换效率。其低导通电阻特性有效减少能量损耗,提高了整个电源系统的效率。
2. **电机驱动**:
该 MOSFET 适合在电动机控制电路中使用,尤其是直流电动机和步进电动机的驱动。它的高电流处理能力和快速开关性能可以确保电动机在不同工作条件下的快速响应,提高了系统的效率和可靠性。
3. **LED 驱动**:
MTD4P05-VB 也广泛应用于 LED 照明驱动电路中,能够有效控制 LED 的电流,确保稳定的亮度输出,适合于商业和住宅照明方案。
4. **消费电子产品**:
由于其紧凑的封装和出色的性能,该 MOSFET 适用于便携式设备和消费电子产品中的电源管理和开关控制电路,能够提高设备的能效和运行稳定性。
5. **电池管理系统**:
MTD4P05-VB 在电池管理系统中也有应用,尤其是在电动汽车和可再生能源系统中,负责电池的充放电控制,确保系统的高效、安全运行。
MTD4P05-VB 的优异性能和广泛应用场景使其成为现代电子设计中理想的选择。
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