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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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MTD4P05T4-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: MTD4P05T4-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
  • ID 18A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、MTD4P05T4-VB 产品简介  

MTD4P05T4-VB 是一款高效能的 **单 N 沟道 (Single N-Channel)** MOSFET,采用 **TO252 封装**。该器件具备 **60V** 的漏源电压 (VDS) 和 **±20V** 的栅源电压 (VGS),其阈值电压为 **1.7V**。在 **VGS = 10V** 时,该 MOSFET 的导通电阻 (RDS(ON)) 为 **73mΩ**,在 **VGS = 4.5V** 时为 **85mΩ**,支持最大 **18A** 的漏极电流 (ID)。MTD4P05T4-VB 采用 **Trench 技术**,提供高效的开关性能和低功耗特性,特别适合用于各种电源管理和开关电源设计中。

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### 二、MTD4P05T4-VB 详细参数说明  

| 参数                 | 规格                             |
|--------------------|--------------------------------|
| **封装**             | TO252                         |
| **配置**             | Single N-Channel              |
| **漏源电压 (VDS)**    | 60 V                         |
| **栅源电压 (VGS)**    | ±20 V                        |
| **阈值电压 (Vth)**     | 1.7 V                        |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 85 mΩ @ VGS = 4.5 V          |
|                       | 73 mΩ @ VGS = 10 V            |
| **漏极电流 (ID)**      | 18 A                         |
| **技术**             | Trench                        |

MTD4P05T4-VB 具备低导通电阻和较高的漏极电流能力,使其在高效能和低功耗应用中表现卓越。

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### 三、应用领域与模块  

1. **电源管理**  
  MTD4P05T4-VB 在电源管理系统中广泛应用,作为负载开关和电源切换器,能够高效控制电源输出,确保电子设备在安全和高效的状态下运行,适合各种家用和工业电源控制。

2. **开关电源 (SMPS)**  
  该 MOSFET 常被用于开关电源模块中,提供高效的开关操作,适合高频率信号的处理,降低功耗,广泛应用于计算机电源、充电器和其他电源解决方案。

3. **LED 驱动电路**  
  MTD4P05T4-VB 适合用于 LED 驱动电路,能够高效控制 LED 的电流,提升照明系统的整体效率,广泛应用于商业和家用 LED 照明。

4. **电机驱动**  
  在电机驱动应用中,该器件能够提供强劲的电流,适合控制直流电机和步进电机,广泛用于电动工具、家用电器和自动化设备中,确保系统的高效运行。

5. **通信设备**  
  MTD4P05T4-VB 也适用于通信设备中的电源模块,确保电源的稳定性,广泛应用于无线通信设备、网络设备及数据处理系统,提高系统的整体性能和可靠性。

通过其优越的性能,MTD4P05T4-VB 成为现代电源管理与控制应用中不可或缺的重要组件,为各类电子设备的高效能运行提供支持。

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