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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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MTD3055EL-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: MTD3055EL-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
  • ID 18A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、MTD3055EL-VB 产品简介  

MTD3055EL-VB 是一款高效能的 **单 N 沟道 (Single N-Channel)** MOSFET,采用 **TO252 封装**。该器件具备 **60V** 的漏源电压 (VDS) 和 **±20V** 的栅源电压 (VGS),其阈值电压为 **1.7V**。在 **VGS = 10V** 时,该 MOSFET 的导通电阻 (RDS(ON)) 为 **73mΩ**,在 **VGS = 4.5V** 时为 **85mΩ**,支持最大 **18A** 的漏极电流 (ID)。MTD3055EL-VB 采用 **Trench 技术**,提供高效的开关性能和低功耗特性,广泛应用于各类电源管理和开关电源的设计中。

---

### 二、MTD3055EL-VB 详细参数说明  

| 参数                 | 规格                             |
|--------------------|--------------------------------|
| **封装**             | TO252                         |
| **配置**             | Single N-Channel              |
| **漏源电压 (VDS)**    | 60 V                         |
| **栅源电压 (VGS)**    | ±20 V                        |
| **阈值电压 (Vth)**     | 1.7 V                        |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 85 mΩ @ VGS = 4.5 V          |
|                       | 73 mΩ @ VGS = 10 V            |
| **漏极电流 (ID)**      | 18 A                         |
| **技术**             | Trench                        |

MTD3055EL-VB 的设计确保其在高效能和低功耗应用中的优越表现,特别是在要求高电流和低导通损耗的应用场景。

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### 三、应用领域与模块  

1. **电源管理**  
  MTD3055EL-VB 被广泛用于电源管理系统中,作为负载开关和电源切换器。它能够高效控制电源的输出,确保电源在高效和安全的状态下工作,适合各类电子设备的电源控制。

2. **开关电源 (SMPS)**  
  该 MOSFET 常用于开关电源模块,提供高效的开关操作,能够处理高频率信号并降低功耗,适用于计算机电源、充电器和其他工业电源解决方案。

3. **LED 驱动电路**  
  MTD3055EL-VB 在 LED 驱动电路中表现良好,能够高效控制 LED 的电流,适用于商业和家用 LED 照明系统,提升整体照明效率并降低能耗。

4. **电机驱动**  
  该器件也适用于电机驱动应用,适合控制直流电机和步进电机,广泛应用于电动工具、家用电器和自动化设备中,为其提供强劲的动力输出。

5. **通信设备**  
  MTD3055EL-VB 可用于各类通信设备中的电源模块,确保电源的稳定传输,适用于无线通信设备、网络设备及数据处理系统,提升系统整体性能。

通过其卓越的性能和广泛的应用领域,MTD3055EL-VB 成为现代电源管理与控制应用中的重要组件,有效提升各类电子设备的工作效率与可靠性。

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