企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 81 粉丝

MTD2955VG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: MTD2955VG-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
  • ID 18A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、MTD2955VG-VB 产品简介  
MTD2955VG-VB 是一款高性能的 **N-Channel MOSFET**,采用 **TO252 封装**,专为高效电源管理与开关应用设计。该器件具有 **60V** 的最大漏源电压 (**VDS**) 和 **±20V** 的最大栅源电压 (**VGS**),适合多种中等电压电源的应用。**开启电压 (Vth)** 为 **1.7V**,确保在较低的栅电压下可以实现迅速导通。在 **VGS = 4.5V** 时,其 **导通电阻 (RDS(ON))** 为 **85mΩ**,而在 **VGS = 10V** 时则为 **73mΩ**,这意味着在不同栅电压下均可实现低导通损耗,提高整体系统的效率。其最大漏极电流 (**ID**) 为 **18A**,适用于多种功率应用。MTD2955VG-VB 采用 **Trench 技术**,具备快速开关和低功耗特性,适合在多种电源适配器、充电器及电动机控制系统中使用。

---

### 二、MTD2955VG-VB 详细参数说明  

| **参数**                | **描述与值**                          |
|-------------------------|---------------------------------------|
| **封装 (Package)**      | TO252                                 |
| **极性 (Configuration)**| 单 N-沟道 MOSFET                      |
| **漏源电压 (VDS)**       | 60V                                   |
| **栅源电压 (VGS)**       | ±20V                                  |
| **开启电压 (Vth)**       | 1.7V                                  |
| **导通电阻 (RDS(ON))**  | 85mΩ @ VGS = 4.5V                    |
|                         | 73mΩ @ VGS = 10V                     |
| **漏极电流 (ID)**        | 18A                                   |
| **技术 (Technology)**   | Trench                                |
| **最大功耗 (Pd)**        | 55W(取决于散热条件)                |
| **工作温度范围**         | -55°C 至 150°C                       |

---

### 三、MTD2955VG-VB 应用领域与模块  

MTD2955VG-VB 的优良性能使其在多个领域和模块中表现突出,适合的应用包括:  

1. **开关电源**  
  - MTD2955VG-VB 可广泛应用于 **开关电源 (SMPS)**,为各种电子设备提供高效稳定的电源,尤其是在笔记本电脑和台式机电源适配器中,能够有效减少电源损耗。

2. **电动机控制**  
  - 该 MOSFET 可用作电动机控制器的主要开关元件,特别适用于无刷直流电动机的驱动,在电动车、家用电器及机器人等领域表现出色。

3. **LED 驱动**  
  - 在 **LED 照明系统** 中,MTD2955VG-VB 可以作为高效的开关元件,确保 LED 的恒流驱动,广泛应用于室内和户外照明解决方案。

4. **电池管理系统 (BMS)**  
  - MTD2955VG-VB 适合在电池管理系统中使用,能够有效控制充放电过程,提升锂电池的安全性与效率,尤其在电动车和储能系统中表现尤为重要。

5. **逆变器应用**  
  - 在 **逆变器** 中,MTD2955VG-VB 作为开关元件,能够高效地将直流电转换为交流电,广泛应用于太阳能发电系统和其他可再生能源应用。

6. **消费电子**  
  - 由于其小型化和高效能,该 MOSFET 适合用于各种 **消费电子设备** 的电源管理模块,如智能手机、平板电脑和便携式设备。

综上所述,MTD2955VG-VB 作为一款高效的 N-Channel MOSFET,凭借其卓越的性能,广泛应用于电源管理、驱动和转换等各个领域,满足现代电子设备对高效率和高可靠性的需求。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    711浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    591浏览量