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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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MTD10N10EL-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: MTD10N10EL-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
  • ID 15A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、MTD10N10EL-VB 产品简介  

MTD10N10EL-VB 是一款高性能的 **单 N 沟道 (Single N-Channel)** MOSFET,采用 **TO252 封装**。该器件具备 **100V** 的漏源电压 (VDS) 和 **±20V** 的栅源电压 (VGS),适用于多种电力管理与开关应用。MTD10N10EL-VB 的导通电阻在 **VGS = 10V** 时为 **114mΩ**,支持高达 **15A** 的漏极电流 (ID)。采用 **Trench 技术**,该 MOSFET 具有优越的导电性能和低功耗特性,广泛应用于电源转换、开关电源和负载驱动等领域。

---

### 二、MTD10N10EL-VB 详细参数说明  

| 参数                 | 规格                             |
|--------------------|--------------------------------|
| **封装**             | TO252                         |
| **配置**             | Single N-Channel              |
| **漏源电压 (VDS)**    | 100 V                        |
| **栅源电压 (VGS)**    | ±20 V                        |
| **阈值电压 (Vth)**     | 1.8 V                        |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 114 mΩ @ VGS = 10 V         |
| **漏极电流 (ID)**      | 15 A                         |
| **技术**             | Trench                        |

MTD10N10EL-VB 的设计确保其在高压、高流的工作环境中具备高效性和稳定性,适合现代电子设备对 MOSFET 的严格要求。

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### 三、应用领域与模块  

1. **开关电源 (SMPS)**  
  MTD10N10EL-VB 可广泛应用于开关电源中,作为高效的开关元件,提供可靠的电源转换,特别适用于电压稳定性要求高的场合,如工业电源和电源适配器。

2. **电池管理系统 (BMS)**  
  在电池管理系统中,该 MOSFET 可用于电池的充电与放电控制,确保电池在高效和安全的状态下工作,适合电动车、便携式设备及储能系统等应用。

3. **电机控制**  
  MTD10N10EL-VB 也适用于电机驱动和控制系统,能够驱动直流电机和步进电机,常用于机器人、家用电器及工业自动化设备,提供强劲的动力输出。

4. **LED 照明**  
  该器件在 LED 驱动电路中表现优异,能够有效控制 LED 的电流,广泛应用于商用和家用的 LED 照明解决方案,提升照明效率。

5. **通信设备**  
  MTD10N10EL-VB 可用于各类通信设备的电源模块,确保电源的稳定传输,适用于无线通信设备、网络设备及数据处理系统,提升系统整体性能。

通过其卓越的性能和广泛的应用领域,MTD10N10EL-VB 为现代电子设计提供了强有力的支持,是电源管理与控制应用中的重要组成部分。

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