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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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MECP01-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: MECP01-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
  • ID 18A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

一、MECP01-VB 产品简介
MECP01-VB 是一款高性能的单 N 沟道 MOSFET,采用 TO252 封装,专为需要高电流和高电压的应用而设计。该器件的最大漏源电压(VDS)为 60V,支持的栅源电压(VGS)范围为 ±20V,适合广泛的电源管理和开关应用。其导通阈值电压(Vth)为 1.7V,在 VGS=4.5V 时的导通电阻(RDS(ON))为 85mΩ,在 VGS=10V 时降低至 73mΩ,使得该 MOSFET 在最大漏极电流可达 18A 时表现出色。MECP01-VB 采用Trench 技术,其低导通电阻和高开关速度,使其成为高效能电源模块和驱动电路的理想选择。

二、MECP01-VB 详细参数说明
参数名称 数值 单位 说明
封装类型 TO252 - 适合表面贴装的封装,便于自动化生产
通道配置 单 N 沟道 - 提供单一 N 沟道配置,适合多种电源管理应用
最大漏源电压 (VDS) 60 V 可承受的最大漏极-源极电压
最大栅源电压 (VGS) ±20 V 栅极-源极的电压限制范围
阈值电压 (Vth) 1.7 V 开始导通的最低栅极电压
导通电阻 (RDS(ON)) 85 mΩ VGS=4.5V 时的导通电阻
导通电阻 (RDS(ON)) 73 mΩ VGS=10V 时的导通电阻
最大连续电流 (ID) 18 A 漏极最大连续电流,适合中等功率负载应用
技术类型 Trench - 沟槽技术,提供低损耗和高开关速度
工作温度范围 -55 ~ 150 ℃ 宽工作温度范围,适用于各种环境条件
安装方式 表面贴装 - 适合现代电路板设计,节省空间
三、应用领域与模块示例
电源管理系统
MECP01-VB 可用于电源管理系统,尤其适合在开关电源和 DC-DC 转换器中,提供高效的电力控制和电流开关功能,确保电源系统的稳定性和可靠性。

电池充电器
该 MOSFET 广泛应用于电池充电器中,能够高效控制充电过程,适用于手机、平板电脑及其他便携式设备的快速充电。

电动工具
MECP01-VB 也适合用于电动工具,其高电流能力和低导通电阻确保了工具的高效能和持久运行,适合于各种电机驱动和开关应用。

LED 照明系统
此器件适合用于LED 照明系统,能有效控制 LED 的开关,提供高效的电力输出,广泛应用于商业和家庭照明。

工业自动化设备
MECP01-VB 还适用于工业自动化设备,可用于电机驱动、传感器控制和其他各种高效能电源应用,帮助提升设备的性能和能效。

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