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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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ME95N03-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: ME95N03-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 2mΩ@VGS=10V
  • ID 120A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### ME95N03-VB 产品简介  

ME95N03-VB 是一款高性能的单 N 通道 MOSFET,采用 TO252 封装,设计用于需要低导通电阻和高电流承载能力的应用。该器件的最大漏源电压(VDS)为 30V,支持 ±20V 的栅源电压(VGS),能够在各种电源和控制电路中稳定工作。ME95N03-VB 的阈值电压(Vth)为 1.7V,确保快速开关响应。

该 MOSFET 的导通电阻(RDS(ON))在 VGS 为 10V 时仅为 2mΩ,这使得其在开关过程中能有效降低功耗,提升系统效率。同时,最大漏电流(ID)可达 120A,适用于高负载电流的应用场景。ME95N03-VB 采用 Trench 技术,具有出色的热性能和可靠性,适合各类高性能电力电子设备。

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### ME95N03-VB 详细参数说明  

| **参数**                  | **说明**                       |
|-------------------------|-----------------------------|
| **封装**                  | TO252                        |
| **配置**                 | 单 N 通道                     |
| **最大漏源电压 (VDS)**     | 30V                          |
| **栅源电压 (VGS)**        | ±20V                        |
| **阈值电压 (Vth)**        | 1.7V                         |
| **导通电阻 (RDS(ON))**    | 3mΩ (VGS = 4.5V)             |
| **导通电阻 (RDS(ON))**    | 2mΩ (VGS = 10V)              |
| **最大漏电流 (ID)**        | 120A                         |
| **技术**                  | Trench                       |

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### 应用领域及模块  

ME95N03-VB 在多个领域和模块中得到了广泛应用,以下是一些具体应用实例:

1. **电源管理**  
  ME95N03-VB 的低导通电阻和高电流承载能力使其在开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器中表现优异。它能够提高电能转换效率,减少功耗,特别适合高效能电源设计。

2. **电动机驱动**  
  该 MOSFET 可用于电动机控制和驱动电路,支持高负载电流,适合工业设备、家用电器及电动汽车等应用,确保电动机在启动和运行过程中的平稳控制。

3. **电池管理系统**  
  在电池管理系统(BMS)中,ME95N03-VB 可用于实现充放电过程的开关控制,提升电池的安全性和工作效率,尤其在电动汽车及可再生能源存储设备中尤为重要。

4. **LED 驱动**  
  由于其快速开关特性,ME95N03-VB 适合用于 LED 驱动电路,能够有效调节 LED 的亮度和工作状态,满足不同场合的照明需求。

5. **工业自动化**  
  在工业自动化领域,ME95N03-VB 可用于各种控制器和驱动模块,支持高电流的快速开关,提升系统的响应速度和整体效率。

综上所述,ME95N03-VB 凭借其高性能特点,成为电源管理和控制应用中的理想选择,为各种高效能电力电子产品提供了坚实的基础。

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