企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 81 粉丝

ME60N03AS-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: ME60N03AS-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 20V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 0.5~1.5V
  • RDS(ON) 4.5mΩ@VGS=4.5V
  • ID 100A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### ME60N03AS-VB 产品简介  

ME60N03AS-VB 是一款采用 TO-252 封装的单 N 通道 MOSFET,专为高效能电力电子应用设计。该器件的最大漏源电压(VDS)为 20V,支持 ±20V 的栅源电压(VGS),并能够承载高达 100A 的漏电流。其阈值电压(Vth)范围在 0.5V 到 1.5V 之间,确保低电压下即可实现快速开通。采用先进的 Trench 技术,该 MOSFET 在 VGS 为 2.5V 和 4.5V 时的导通电阻(RDS(ON))分别为 6mΩ 和 4.5mΩ,提供了卓越的开关性能和低损耗。

---

### ME60N03AS-VB 详细参数说明  

| **参数**                  | **说明**                       |
|-------------------------|-----------------------------|
| **封装**                  | TO-252                        |
| **配置**                 | 单 N 通道                      |
| **最大漏源电压 (VDS)**     | 20V                           |
| **栅源电压 (VGS)**        | ±20V                          |
| **阈值电压 (Vth)**        | 0.5V ~ 1.5V                   |
| **导通电阻 (RDS(ON))**    | 6mΩ (VGS = 2.5V)              |
|                          | 4.5mΩ (VGS = 4.5V)            |
| **最大漏电流 (ID)**        | 100A                          |
| **技术**                  | Trench                        |

---

### 应用领域及模块  

ME60N03AS-VB 凭借其低导通电阻、高电流能力和优良的开关性能,可广泛应用于以下领域:  

1. **电源管理与负载开关**  
  适用于 DC-DC 转换器和电源开关模块,在大电流下提供稳定的负载控制和高效率,广泛应用于服务器、通信基站和计算系统。  

2. **汽车电子系统**  
  在汽车电池管理系统(BMS)、电动助力转向(EPS)以及车载电源管理模块中,ME60N03AS-VB 的高电流承载能力和低损耗特性能够提升系统效率和稳定性。  

3. **电动工具和电动机控制**  
  该 MOSFET 非常适合用于电动工具和小型电动机驱动应用,确保设备在大功率输出时具备快速响应和可靠运行的能力。  

4. **消费类电子和智能家居**  
  在智能家居设备、便携式电子产品和家电的电源管理模块中,ME60N03AS-VB 提供高效的电流控制,帮助设备减少功耗并提高电池续航时间。  

5. **太阳能和能源存储系统**  
  ME60N03AS-VB 可作为太阳能逆变器中的开关元件,用于提升能源转换效率,并在储能系统中优化电池充放电过程。  

ME60N03AS-VB 是一款适用于多种电力电子模块的高性能 MOSFET,可帮助设计人员在高效能与低损耗之间实现最佳平衡。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    711浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    591浏览量