--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 100V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.8V
- RDS(ON) 18mΩ@VGS=10V
- ID 45A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
一、ME45N75-VB 产品简介
ME45N75-VB 是一款 单通道 N-沟道 MOSFET,采用 TO252 封装,专为高效电源管理和开关应用设计。其 漏源电压 (VDS) 高达 100V,并支持最大 45A 的漏极电流 (ID),使其在各种高电压和高电流的应用中表现优异。ME45N75-VB 的 导通电阻 (RDS(ON)) 为 18mΩ @ VGS=10V,显著降低了开关损耗,提高了整体能效。此产品广泛应用于电源适配器、电机控制、以及各种需要高效能和可靠性的电子设备中。
二、ME45N75-VB 详细参数说明
封装类型:TO252
通道配置:单通道 N-沟道 (Single-N-Channel)
漏源电压 (VDS):100V
栅源电压 (VGS):±20V
阈值电压 (Vth):1.8V
导通电阻 (RDS(ON)):18mΩ @ VGS=10V
最大漏极电流 (ID):45A
技术:Trench 技术
三、应用领域和模块示例
电源适配器和开关电源
ME45N75-VB 可用于 AC-DC 电源适配器和开关电源 (SMPS) 中,作为主要开关元件,提高电源转换效率,减少电能损耗。
电机驱动控制
在电机驱动应用中,ME45N75-VB 能够有效控制直流电机和无刷电机的开关操作,适用于电动工具、风扇和小型家电等场景。
电池管理系统 (BMS)
该 MOSFET 可用于电池充电和放电路径的开关控制,确保电池的安全、高效运行,特别是在电动车和储能系统中。
LED 照明控制
在 LED 驱动电路中,ME45N75-VB 可用作开关元件,实现 PWM 调光和开关控制,提高光源效率并延长使用寿命。
消费类电子产品
适合用于智能手机、平板电脑等消费类电子产品中的电源管理模块,确保高效的功耗控制和热管理。
工业设备
ME45N75-VB 可用于工业自动化和控制系统中的开关电源、负载切换和信号放大应用,确保系统的高效能和稳定性。
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