--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 40V
- VGS 20(±V)
- Vth 2.5V
- RDS(ON) 12mΩ@VGS=10V
- ID 55A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、ME32N04-VB 产品简介
ME32N04-VB 是一款高性能的单 N-沟道 MOSFET,采用 **TO252 封装**,旨在满足各种高电流和高效率应用的需求。它具有最大 **漏源电压 (VDS)** 为 40V 和支持高达 55A 的漏极电流 (ID),能够在较低的导通电阻下工作,从而实现更高的功率效率。采用 **Trench 技术**,ME32N04-VB 不仅具备卓越的开关性能,还能够有效降低热损耗,确保在高负载条件下的可靠性和稳定性。
---
### 二、ME32N04-VB 详细参数说明
- **封装类型**:TO252
- **通道配置**:单通道 N-沟道 (Single-N-Channel)
- **漏源电压 (VDS)**:40V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 14mΩ @ VGS=4.5V
- 12mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**:55A
- **技术**:Trench 技术
---
### 三、应用领域和模块示例
1. **电源管理**
ME32N04-VB 适用于高效的电源管理解决方案,如 DC-DC 转换器和线性稳压器。这款 MOSFET 的低导通电阻特性能够显著提高转换效率,减少电源损耗。
2. **电机控制**
在电机驱动应用中,ME32N04-VB 可用于控制直流电机和步进电机,特别适合用于自动化设备、机器人和电动工具等领域,确保电机的稳定运行和快速响应。
3. **负载开关**
作为负载开关,ME32N04-VB 可以有效地开关大功率负载,适合于家电、电池供电设备和工业设备等场合,能够提高设备的整体性能和可靠性。
4. **LED 驱动**
在 LED 驱动应用中,ME32N04-VB 可用于高效地控制 LED 的开关,适合用于照明系统和显示屏,能够提供更高的亮度和更长的使用寿命。
5. **音频放大器**
ME32N04-VB 可用于音频放大器的电源管理,能够有效降低功耗并提高音频输出的清晰度,适合于高保真音响和专业音频设备。
ME32N04-VB 的卓越性能和广泛的应用适用性,使其成为现代电子设计中不可或缺的高效能元件,尤其适合各种需要高效率和高电流承载能力的模块与电路。
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