--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 250V
- VGS 20(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 176mΩ@VGS=10V
- ID 17A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、**ME15N25-VB 产品简介**
ME15N25-VB 是一款高压单N沟道MOSFET,采用 **TO252** 封装,专为高效电源管理和开关应用设计。它的最大漏源电压(VDS)为 **250V**,适用于高电压场合,结合 ±20V 的栅源电压(VGS),在多种电气环境中具备良好的稳定性。该器件的导通电阻为 **176mΩ**(在VGS=10V时),通过 **Trench 技术** 的运用,确保其在高压条件下的可靠性和优越的导电性能。ME15N25-VB 是对电源转换和开关应用的理想选择,特别适合需要高电压和中等电流处理能力的场合。
---
### 二、**详细参数说明**
| **参数** | **符号** | **数值** | **单位** | **说明** |
|-----------------------|--------------|--------------------------|--------------|------------------------------|
| 漏源电压 | VDS | 250 | V | 最大承受的漏源电压 |
| 栅源电压 | VGS | ±20 | V | 栅极可承受的电压范围 |
| 阈值电压 | Vth | 3.5 | V | MOSFET 开启所需的最小电压 |
| 导通电阻 | RDS(ON) | 176 | mΩ | VGS=10V 时的导通电阻 |
| 最大漏极电流 | ID | 17 | A | 最大连续漏极电流 |
| 封装类型 | - | TO252 | - | 提供良好热性能的标准封装 |
| 技术类型 | - | Trench | - | 低导通电阻、高密度沟槽技术 |
---
### 三、**应用领域及模块示例**
1. **电源管理:开关电源(SMPS)**
- ME15N25-VB 在 **开关电源(SMPS)** 中广泛应用,能承受高达 250V 的电压,适合用于高效电源转换与管理。
2. **工业电源模块**
- 可作为 **工业电源模块** 中的主开关元件,凭借其良好的导电性能和高电压承受能力,满足各种工业设备对电源的需求。
3. **汽车电子:电源分配和管理**
- 适用于 **汽车电子系统**,如电源分配模块和电动窗控制,确保在高电压环境下的稳定运行。
4. **照明控制:高压LED驱动**
- 在 **高压LED驱动器** 中作为开关MOSFET,能够有效管理LED的供电,提升照明系统的效率和稳定性。
ME15N25-VB 在多个应用领域展示出卓越的性能,尤其适合用于需要高电压和稳定电流的电源管理与开关控制系统。
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