--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 100V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.8V
- RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
- ID 15A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、ME13N10-VB 产品简介
ME13N10-VB 是一款高性能的 **单N沟道MOSFET**,采用 **TO-252封装**,专为需要高电压和中等电流的应用而设计。其最大漏极-源极电压 (VDS) 为 **100V**,并具备 **15A 的连续漏极电流 (ID)** 能力,适用于多种电子电路和电源管理系统。该MOSFET的导通电阻为 **114mΩ** @VGS=10V,使用 **沟槽(Trench)技术**,有效降低了导通损耗和热量生成,非常适合高效率的开关电源应用。
---
### 二、ME13N10-VB 参数说明
| **参数** | **规格** | **说明** |
|---------------------|---------------------------|------------------------------------------------|
| **封装** | TO-252 | 紧凑型封装,适合表面贴装及散热 |
| **沟道类型** | 单N沟道 | 适用于高效率的开关应用 |
| **VDS (漏极-源极电压)** | 100V | 最大承受电压,适合中高压电源应用 |
| **VGS (栅极-源极电压)** | ±20V | 栅极驱动的最大电压范围 |
| **Vth (阈值电压)** | 1.8V | 典型开启电压,提供良好的栅极控制 |
| **RDS(ON)@VGS=10V** | 114mΩ | 导通电阻,确保低功耗和高效运行 |
| **ID (漏极电流)** | 15A | 适合中等功率应用,确保稳定工作 |
| **技术** | Trench | 采用沟槽技术以降低导通损耗和提高热性能 |
---
### 三、ME13N10-VB 的应用领域和模块示例
1. **开关电源(SMPS)**
- 在各种开关电源应用中,用于高频开关和电能转换模块。ME13N10-VB 的低导通电阻确保高效的能量传输,适合用于AC-DC和DC-DC转换器,以提高系统整体效率。
2. **LED驱动电源**
- 在LED照明和驱动电路中,该MOSFET可以用作开关元件,控制LED的亮度和功率。其优越的导通性能和热特性可以延长LED的使用寿命和提高亮度。
3. **电池管理系统(BMS)**
- 用于电池充电和放电管理,ME13N10-VB 的高电压处理能力使其适合于锂离子电池和其他类型电池的监控和控制电路,确保电池的安全和高效使用。
4. **马达驱动电路**
- 在电动机控制和驱动应用中,该MOSFET能够提供稳定的电流供应和快速的开关响应,适合于小型电机驱动器和机器人控制系统。
5. **电源模块(Power Modules)**
- 在多种电源模块中,用作功率开关,以实现高效的电能管理和转换。其优异的散热性能使其在高功率应用中表现出色,适合于工业和消费电子领域。
---
**总结**:ME13N10-VB 以其高电压和中等电流能力,结合低导通电阻和优越的热性能,广泛应用于开关电源、LED驱动、电池管理系统以及马达驱动等多个领域。TO-252封装设计使其在紧凑的电路板上易于集成,同时有效提升系统的可靠性和效率。
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