--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-P-Channel
- VDS -30V
- VGS 20(±V)
- Vth -1.7V
- RDS(ON) 33mΩ@VGS=10V
- ID -38A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、ME10P03-VB 产品简介
ME10P03-VB是一款采用**TO252封装**的**单P沟道(Single-P-Channel)MOSFET**,专为各种电源管理和负载开关应用而设计。该产品支持最大**VDS为-30V**,并具备**VGS为±20V**的宽电压范围,适合多种电源和驱动电路。凭借其出色的导通电阻特性(**RDS(ON)**),在4.5V和10V栅极驱动电压下分别为46mΩ和33mΩ,ME10P03-VB能够在负载开关中实现更高的效率和更低的热损耗,特别适用于高功率应用。
---
### 二、ME10P03-VB 详细参数说明
| **参数** | **数值** | **说明** |
|----------------------|------------------------------|--------------------------------------------|
| **封装** | TO252 | 适合表面贴装的封装形式 |
| **沟道类型** | 单P沟道(Single-P-Channel) | 适用于低侧开关应用 |
| **VDS** | -30V | 漏极-源极电压,最大支持 -30V |
| **VGS** | ±20V | 栅极-源极电压范围 |
| **Vth (阈值电压)** | -1.7V | 开启MOSFET所需的最小栅极电压 |
| **RDS(ON)** | 46mΩ(@VGS=4.5V) | 在4.5V栅极驱动电压下的导通电阻 |
| | 33mΩ(@VGS=10V) | 在10V栅极驱动电压下的导通电阻 |
| **ID(最大漏极电流)**| -38A | 在规定条件下的最大连续电流 |
| **技术工艺** | Trench(沟槽) | 提供较低导通电阻和快速开关能力 |
| **应用温度范围** | -55°C ~ 150°C | 适用于各种工业和消费电子环境 |
---
### 三、ME10P03-VB 应用领域与模块示例
1. **电池管理系统(Battery Management Systems, BMS)**
ME10P03-VB可用于电动汽车及储能系统中的电池保护电路,负责在电池过载或短路时快速切断电流,防止电池损坏。
2. **DC-DC转换器**
在DC-DC转换器设计中,该MOSFET可用作负载开关,有效降低导通损耗,提高转换效率,适合于手机、平板电脑和其他便携设备的电源管理。
3. **负载开关应用**
该型号MOSFET可用于工业自动化设备及智能家居产品中的负载开关,能够根据需要快速开启或关闭电源,提高系统的灵活性和效率。
4. **电源适配器和开关电源**
在电源适配器设计中,ME10P03-VB可以用作开关元件,以优化电源的工作效率,广泛应用于计算机和消费电子设备。
5. **反向电压保护电路**
在汽车电子和各种高可靠性设备中,ME10P03-VB可作为反向电压保护开关,防止设备在接错电源时遭受损坏。
通过其出色的性能和灵活的应用范围,ME10P03-VB在现代电子产品设计中成为了不可或缺的元件。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12