--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
- ID 70A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、**ME10N03D-VB 产品简介**
ME10N03D-VB 是一款采用 **TO252** 封装的单N沟道MOSFET,专为高性能电源管理和开关应用设计。它具有 **30V** 的漏源电压(VDS)和 ±20V 的栅源电压(VGS),结合了优越的导通电阻和高电流处理能力,使其在各种应用场合中表现出色。通过 **Trench 技术** 的应用,该器件实现了较低的导通电阻(RDS(ON)),在较高的负载条件下可显著降低功耗,提高能效。ME10N03D-VB 特别适合用于空间受限的电子设备。
---
### 二、**详细参数说明**
| **参数** | **符号** | **数值** | **单位** | **说明** |
|-----------------------|--------------|--------------------------|--------------|------------------------------|
| 漏源电压 | VDS | 30 | V | 最大承受的漏源电压 |
| 栅源电压 | VGS | ±20 | V | 栅极可承受的电压范围 |
| 阈值电压 | Vth | 1.7 | V | MOSFET 开启所需的最小电压 |
| 导通电阻 (4.5V) | RDS(ON) | 9 | mΩ | VGS=4.5V 时的导通电阻 |
| 导通电阻 (10V) | RDS(ON) | 7 | mΩ | VGS=10V 时的导通电阻 |
| 最大漏极电流 | ID | 70 | A | 最大连续漏极电流 |
| 封装类型 | - | TO252 | - | 提供良好热性能的标准封装 |
| 技术类型 | - | Trench | - | 低导通电阻、高密度沟槽技术 |
---
### 三、**应用领域及模块示例**
1. **消费电子:笔记本电脑电源管理**
- ME10N03D-VB 可用于 **笔记本电脑的电源管理模块**,在高功率转换中有效降低功耗,提高电源效率。
2. **DC-DC 转换器**
- 在 **降压(Buck)转换器** 中作为主要开关管使用,凭借其低 RDS(ON) 特性,实现高效的电压转换和能量管理。
3. **汽车电子:电动窗控制和照明**
- 适用于 **汽车电子系统** 中,如电动窗控制和照明模块,能够在高电流条件下稳定工作,确保设备可靠性。
4. **工业控制:机器人和电机驱动**
- 在 **工业自动化和机器人控制** 中,用作开关控制元件,能够处理高达 70A 的电流,适合电机驱动和负载控制应用。
ME10N03D-VB 在多个领域展现出强大的性能,特别适合用作高效电源管理、负载开关以及各类电子设备中的关键开关元件。
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