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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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ME10N03D-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: ME10N03D-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
  • ID 70A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、**ME10N03D-VB 产品简介**  
ME10N03D-VB 是一款采用 **TO252** 封装的单N沟道MOSFET,专为高性能电源管理和开关应用设计。它具有 **30V** 的漏源电压(VDS)和 ±20V 的栅源电压(VGS),结合了优越的导通电阻和高电流处理能力,使其在各种应用场合中表现出色。通过 **Trench 技术** 的应用,该器件实现了较低的导通电阻(RDS(ON)),在较高的负载条件下可显著降低功耗,提高能效。ME10N03D-VB 特别适合用于空间受限的电子设备。

---

### 二、**详细参数说明**  

| **参数**               | **符号**      | **数值**                  | **单位**     | **说明**                     |
|-----------------------|--------------|--------------------------|--------------|------------------------------|
| 漏源电压              | VDS          | 30                       | V            | 最大承受的漏源电压 |
| 栅源电压              | VGS          | ±20                      | V            | 栅极可承受的电压范围 |
| 阈值电压              | Vth          | 1.7                      | V            | MOSFET 开启所需的最小电压 |
| 导通电阻 (4.5V)       | RDS(ON)      | 9                        | mΩ           | VGS=4.5V 时的导通电阻 |
| 导通电阻 (10V)        | RDS(ON)      | 7                        | mΩ           | VGS=10V 时的导通电阻 |
| 最大漏极电流          | ID           | 70                       | A            | 最大连续漏极电流 |
| 封装类型              | -            | TO252                    | -            | 提供良好热性能的标准封装 |
| 技术类型              | -            | Trench                   | -            | 低导通电阻、高密度沟槽技术 |

---

### 三、**应用领域及模块示例**  
1. **消费电子:笔记本电脑电源管理**  
  - ME10N03D-VB 可用于 **笔记本电脑的电源管理模块**,在高功率转换中有效降低功耗,提高电源效率。  

2. **DC-DC 转换器**  
  - 在 **降压(Buck)转换器** 中作为主要开关管使用,凭借其低 RDS(ON) 特性,实现高效的电压转换和能量管理。  

3. **汽车电子:电动窗控制和照明**  
  - 适用于 **汽车电子系统** 中,如电动窗控制和照明模块,能够在高电流条件下稳定工作,确保设备可靠性。  

4. **工业控制:机器人和电机驱动**  
  - 在 **工业自动化和机器人控制** 中,用作开关控制元件,能够处理高达 70A 的电流,适合电机驱动和负载控制应用。  

ME10N03D-VB 在多个领域展现出强大的性能,特别适合用作高效电源管理、负载开关以及各类电子设备中的关键开关元件。

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