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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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ME07N25-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: ME07N25-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 250V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 176mΩ@VGS=10V
  • ID 17A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、ME07N25-VB 产品简介  
ME07N25-VB 是一款 **单 N 沟道 MOSFET**,采用 **TO-252 封装**,其最大耐压 \(V_{DS}\) 为 250V,栅极电压 \(V_{GS}\) 范围为 ±20V。这款 MOSFET 具有 3.5V 的阈值电压 \(V_{th}\),导通电阻 \(R_{DS(ON)}\) 为 176mΩ(在 10V 栅极驱动电压下),最大电流承载能力为 17A。借助 **Trench 技术**,该产品在高电压应用中具备良好的效率和开关速度,适用于功率开关和控制电路。  

---

### 二、ME07N25-VB 详细参数说明  
| **参数**              | **数值**                     | **说明**                            |
|-----------------------|-----------------------------|-------------------------------------|
| **封装类型**           | TO-252                      | 适用于表面贴装,散热性能优异          |
| **沟道类型**           | 单 N 沟道                   | 以电子为载流子,导通损耗低           |
| **漏源电压 \(V_{DS}\)** | 250V                        | 最大耐压,适合高压系统                |
| **栅源电压 \(V_{GS}\)** | ±20V                        | 允许的栅极电压范围,避免损坏栅极      |
| **阈值电压 \(V_{th}\)** | 3.5V                        | 栅极开启所需的最小电压                |
| **导通电阻 \(R_{DS(ON)}\)** | 176mΩ @ V_{GS}=10V     | 表征导通状态下的电阻,越低越高效      |
| **最大漏极电流 \(I_D\)** | 17A                        | 漏极最大连续电流,决定载流能力         |
| **技术类型**            | Trench                      | 先进的沟槽技术,提升导电性与开关性能   |
| **工作温度范围**        | -55°C ~ 175°C               | 支持工业级与恶劣环境应用              |

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### 三、应用领域与模块示例  

1. **工业电源模块**  
  - 在高电压 AC-DC 转换器和 DC-DC 降压转换器中,ME07N25-VB 可用于功率因数校正(PFC)电路和电源开关,确保系统高效率与可靠性。  

2. **电机驱动器**  
  - 由于其 250V 的耐压和 17A 的电流能力,该 MOSFET 可用于电动工具、风扇和小型电机的驱动控制模块中,保证快速响应与低损耗。  

3. **LED 照明系统**  
  - 在户外或工业 LED 灯的恒流电源设计中,该 MOSFET 可作为开关元件,提供稳定的电流输出和长时间稳定运行。  

4. **电池管理系统(BMS)**  
  - 适用于 48V 或更高电压平台中的电池保护电路,实现安全充放电管理,避免过流、过压等问题。  

5. **光伏逆变器**  
  - 在太阳能逆变器和 DC-AC 转换模块中,该 MOSFET 能处理高压输入,并且确保转换效率最大化,支持能量的有效传递。  

ME07N25-VB 适用于 **高效功率管理、电机驱动、照明及可再生能源系统**,能为不同领域提供可靠的开关与控制解决方案。

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