--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 1000mΩ@VGS=10V
- ID 5A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、ME06N30-VB 产品简介
ME06N30-VB 是一款 **高压 N-沟道 MOSFET**,采用 **TO252 封装**,其主要特点是具备 **650V 的漏源电压 (VDS)**,适用于严苛环境中的高压转换应用。该器件采用 **超级结 (Super-Junction) 多重 EPI 技术**,具有较低的导通电阻和出色的开关性能,从而提升系统的能效和稳定性。其典型的 **RDS(ON)** 为 1000mΩ (VGS=10V),并支持高达 **5A 的连续电流 (ID)**,使其非常适合各种开关电源和高压控制电路。
---
### 二、ME06N30-VB 详细参数说明
| **参数** | **值** | **说明** |
|---------------------|--------------------------------|-----------------------------------------|
| **封装类型** | TO252 | 紧凑型封装,适用于空间有限的应用场景。 |
| **配置** | 单 N-沟道 | 支持高效的单通道开关控制。 |
| **漏源电压 (VDS)** | 650V | 适用于高压输入的电路。 |
| **栅源电压 (VGS)** | ±30V | 可承受高达 ±30V 的栅极驱动电压。 |
| **阈值电压 (Vth)** | 3.5V | 栅极电压需达到此值后器件才会导通。 |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 1000mΩ @ VGS=10V | 在 10V 栅极驱动电压下的典型导通电阻。 |
| **最大漏极电流 (ID)** | 5A | 器件在特定条件下的最大连续漏极电流。 |
| **技术类型** | SJ_Multi-EPI | 超级结多层外延技术,提升电压阻断能力和效率。 |
| **应用温度范围** | -55°C 至 +150°C | 适应各种极端温度环境。 |
---
### 三、ME06N30-VB 的应用领域与模块示例
1. **电源管理模块**
ME06N30-VB 非常适合用于 **开关电源 (SMPS)**,如工业和消费类电源转换器。在高压侧,它能有效地将直流电压转换为较低电压,适用于充电器和适配器。其高耐压特性确保设备能在 **380V 或更高电网电压**下可靠运行。
2. **光伏逆变器和电池管理系统**
在 **太阳能光伏系统** 中,该 MOSFET 可用于逆变器的高压桥臂部分,实现直流到交流的高效转换。在电池管理系统中,它能参与高压电池组的充放电控制,保证电池寿命和安全。
3. **电机驱动与家电控制**
ME06N30-VB 可在 **电机驱动模块** 中用作逆变桥的功率开关,控制高压电机的启动与速度调节。在家电设备如 **空调和冰箱** 的压缩机控制电路中,它也能提供高效能耗管理。
4. **LED 照明驱动**
在 **高压 LED 驱动电路** 中,这款 MOSFET 可用于控制恒流输出,支持 LED 在市电供电条件下高效运行,避免电流波动对灯具寿命的影响。
---
ME06N30-VB 的 **多重 EPI 超级结技术** 使其适用于对 **高压耐受性和能效** 要求较高的场合,如 **开关电源、逆变器、电机控制** 等领域。在这些模块中,该器件能有效减少导通损耗,并确保系统稳定运行。
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