--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
- ID 80A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、MDD2605RH-VB 产品简介
MDD2605RH-VB 是一款高效能的单N沟道MOSFET,采用TO252封装,专为需要低导通电阻和高电流处理能力的应用设计。该器件具有最大漏源电压(VDS)为30V,栅源电压(VGS)可达±20V,适合在各种电源管理和开关应用中使用。它的导通电阻(RDS(ON))在VGS为4.5V时为6mΩ,而在VGS为10V时则降至5mΩ,这使得该MOSFET在高频率和大电流下表现出色,能够显著降低功耗并提高系统效率。因此,MDD2605RH-VB 是电源转换、电动机驱动和负载开关等应用的理想选择。
### 二、MDD2605RH-VB 详细参数说明
- **型号**: MDD2605RH-VB
- **封装类型**: TO252
- **配置**: 单N通道(Single-N-Channel)
- **漏源电压(VDS)**: 30V
- **栅源电压(VGS)**: ±20V
- **阈值电压(Vth)**: 1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- VGS=4.5V 时:6mΩ
- VGS=10V 时:5mΩ
- **最大漏极电流(ID)**: 80A
- **技术类型**: Trench(沟槽技术)
- **最大功耗**: 175W(典型值)
- **工作温度范围**: -55°C ~ +150°C
### 三、应用领域及模块举例
MDD2605RH-VB 的高性能特性使其适用于多个领域和模块,具体如下:
1. **电源管理系统**:在开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中,该MOSFET能够有效降低导通损耗,提高电源效率,适合应用于笔记本电脑电源适配器和服务器电源模块。
2. **负载开关控制**:MDD2605RH-VB 可用于高功率负载的开关控制,如在工业设备、电动工具等中实现高效的电源分配和保护功能。
3. **电动机控制系统**:该器件在电动机驱动器中表现优异,能够处理较大的工作电流,适用于电动汽车、机器人及家电电机控制等领域。
4. **电池管理系统(BMS)**:在电池充放电控制中,MDD2605RH-VB 的低导通电阻和高电流能力能够有效提升电池的使用效率和寿命,特别适用于电动车和储能系统。
5. **汽车电子模块**:该MOSFET 适合用于汽车电子领域,例如动力分配、照明控制及电子负载开关等,提高汽车电气系统的整体效率和可靠性。
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