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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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MDD2605RH-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: MDD2605RH-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
  • ID 80A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、MDD2605RH-VB 产品简介
MDD2605RH-VB 是一款高效能的单N沟道MOSFET,采用TO252封装,专为需要低导通电阻和高电流处理能力的应用设计。该器件具有最大漏源电压(VDS)为30V,栅源电压(VGS)可达±20V,适合在各种电源管理和开关应用中使用。它的导通电阻(RDS(ON))在VGS为4.5V时为6mΩ,而在VGS为10V时则降至5mΩ,这使得该MOSFET在高频率和大电流下表现出色,能够显著降低功耗并提高系统效率。因此,MDD2605RH-VB 是电源转换、电动机驱动和负载开关等应用的理想选择。

### 二、MDD2605RH-VB 详细参数说明
- **型号**: MDD2605RH-VB
- **封装类型**: TO252
- **配置**: 单N通道(Single-N-Channel)
- **漏源电压(VDS)**: 30V
- **栅源电压(VGS)**: ±20V
- **阈值电压(Vth)**: 1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
 - VGS=4.5V 时:6mΩ
 - VGS=10V 时:5mΩ
- **最大漏极电流(ID)**: 80A
- **技术类型**: Trench(沟槽技术)
- **最大功耗**: 175W(典型值)
- **工作温度范围**: -55°C ~ +150°C

### 三、应用领域及模块举例
MDD2605RH-VB 的高性能特性使其适用于多个领域和模块,具体如下:

1. **电源管理系统**:在开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中,该MOSFET能够有效降低导通损耗,提高电源效率,适合应用于笔记本电脑电源适配器和服务器电源模块。

2. **负载开关控制**:MDD2605RH-VB 可用于高功率负载的开关控制,如在工业设备、电动工具等中实现高效的电源分配和保护功能。

3. **电动机控制系统**:该器件在电动机驱动器中表现优异,能够处理较大的工作电流,适用于电动汽车、机器人及家电电机控制等领域。

4. **电池管理系统(BMS)**:在电池充放电控制中,MDD2605RH-VB 的低导通电阻和高电流能力能够有效提升电池的使用效率和寿命,特别适用于电动车和储能系统。

5. **汽车电子模块**:该MOSFET 适合用于汽车电子领域,例如动力分配、照明控制及电子负载开关等,提高汽车电气系统的整体效率和可靠性。

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