--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 100V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.8V
- RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
- ID 15A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### MDD1903RH-VB MOSFET 产品简介
MDD1903RH-VB 是一款采用 TO252 封装的单 N 沟道 MOSFET,具有 100V 的漏源电压 (VDS),适合多种需要较高电压和电流的开关应用。该器件使用先进的沟槽型 (Trench) 技术,提供高效的电流传导与低导通电阻,使其在性能和效率上表现出色。MDD1903RH-VB 的最大漏极电流 (ID) 为 15A,导通电阻 (RDS(ON)) 在 VGS 为 10V 时为 114mΩ,适合需要高效电流开关和电源管理的系统。其栅源电压 (VGS) 范围为 ±20V,阈值电压 (Vth) 为 1.8V,能够在较低的栅极驱动电压下实现稳定工作。
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### 详细参数说明
- **封装类型**:TO252(紧凑型表面贴装封装)
- **配置**:单 N 沟道
- **VDS(漏源电压)**:100V
- **VGS(栅源电压)**:±20V
- **Vth(阈值电压)**:1.8V
- **RDS(ON) @ VGS = 10V**:114mΩ
- **ID(最大连续漏极电流)**:15A
- **技术**:沟槽型 (Trench)
- **功耗**:中高功率应用
- **工作温度范围**:适用于广泛的工业和消费电子温度环境。
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### 应用领域与模块
1. **电机驱动控制**:MDD1903RH-VB 可用于电机驱动系统中的开关应用,如家用电器中的电动机控制模块。其高电流处理能力和低导通电阻确保了电机运行的高效和稳定。
2. **电源管理模块**:在不间断电源 (UPS) 或太阳能逆变器等高电压电源管理系统中,该 MOSFET 可以用作主要开关元件,确保稳定的电源切换和能量传输。
3. **DC-DC 转换器**:该 MOSFET 可用于 DC-DC 降压转换器中,作为高效开关器件,在高电压输入条件下进行能量转换,适用于工业自动化设备及消费电子产品的电源管理。
4. **LED 驱动电路**:MDD1903RH-VB 可应用于 LED 照明的开关电路中,帮助管理 LED 电源的开关和调光功能,实现高效的能量使用。
5. **汽车电子**:在汽车电子领域,该器件可用于电源分配模块和负载开关,如电动窗、车灯控制等应用。其 100V 的漏源电压确保其在高压汽车系统中运行可靠。
6. **工业控制系统**:该 MOSFET 可用于工业自动化设备的高效电源开关和控制模块中,确保在高压和大电流应用中的可靠性和耐用性。
综上所述,MDD1903RH-VB 以其高电压处理能力和低导通电阻,适用于各种工业和消费电子应用,包括电机控制、电源管理、DC-DC 转换器、LED 驱动以及汽车电子系统等模块。
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