--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 100V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.8V
- RDS(ON) 30mΩ@VGS=10V
- ID 40A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、产品简介
MDD1902RH-VB是一款采用TO252封装的单N沟道MOSFET,具有高效率和强大电流承载能力,适合多种功率管理和开关应用。该器件最大漏源电压(VDS)为100V,栅源电压(VGS)最大为±20V,导通电阻(RDS(ON))在VGS为4.5V时为35mΩ,在VGS为10V时为30mΩ,具有较低的功耗和出色的导通性能。其最大漏极电流(ID)可达40A,能够处理高电流应用。采用Trench技术,MDD1902RH-VB提供了更高的效率和更低的导通电阻,广泛应用于电源转换、DC-DC转换器和负载开关等应用中。
### 二、详细参数说明
| 参数 | 说明 |
|--------------------|-------------------------------|
| **型号** | MDD1902RH-VB |
| **封装** | TO252 |
| **配置** | 单N沟道 |
| **最大漏源电压 (VDS)** | 100V |
| **栅源电压 (VGS)** | ±20V |
| **阈值电压 (Vth)** | 1.8V |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 35mΩ @ VGS=4.5V |
| | 30mΩ @ VGS=10V |
| **最大漏极电流 (ID)** | 40A |
| **技术** | Trench技术 |
### 三、适用领域和模块示例
1. **电源管理系统**:
- MDD1902RH-VB在电源管理系统中非常有用,尤其适合用于**DC-DC转换器**和电压调节器。其高电流处理能力和低导通电阻确保了更高的功率转换效率,减少了系统的发热,提高了稳定性。
2. **电机驱动控制**:
- 在**电机控制**应用中,MDD1902RH-VB可以用作功率MOSFET开关元件,驱动电机的启动、停止和速度控制。其低导通电阻和高电流处理能力使其适合在工业自动化设备、电动工具和家用电器中使用。
3. **负载开关电路**:
- 该MOSFET适合用于各种**负载开关电路**中,可以有效控制电流流入负载。比如在汽车电子系统中,MDD1902RH-VB可以用于控制车灯、加热器和其他电气设备的开关操作。
4. **太阳能和储能设备**:
- MDD1902RH-VB在太阳能逆变器和储能设备中也有广泛的应用。在这些应用中,它可用于**太阳能板电源转换**和能量存储的管理,确保高效的能量转换和分配。
5. **消费电子**:
- 在**消费电子产品**(如智能手机、平板电脑)中,MDD1902RH-VB可用于电源调节和充电管理系统。其高效率和小型封装有助于减少能量损耗,延长电池寿命,同时确保设备稳定运行。
综上所述,MDD1902RH-VB凭借其高电压和高电流承载能力,广泛应用于电源管理、电机驱动、负载开关以及太阳能设备等领域,为现代电子设计提供了高效可靠的解决方案。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12