### MDD1752RH-VB MOSFET 产品简介
MDD1752RH-VB 是一款采用 TO252 封装的高性能单 N 沟道 MOSFET，具有卓越的导通电阻和电流处理能力。该器件具有 40V 的最大漏源电压 (VDS)，并支持 ±20V 的栅源电压 (VGS) 范围，适用于广泛的电源管理和高效开关应用。其极低的导通电阻（VGS 为 4.5V 时为 6mΩ，VGS 为 10V 时为 5mΩ），保证了极低的功耗和高效能，同时可支持高达 85A 的最大漏极电流 (ID)，使其非常适合大电流应用。采用先进的 Trench 技术，进一步提升了开关速度和降低了损耗。
### 详细参数说明
- **产品型号**: MDD1752RH-VB
- **封装类型**: TO252
- **配置**: 单 N 沟道
- **最大漏源电压 (VDS)**: 40V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 6mΩ（VGS=4.5V）
- 5mΩ（VGS=10V）
- **最大漏极电流 (ID)**: 85A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块示例
MDD1752RH-VB MOSFET 适用于多种高功率和高效能应用场景，以下是几个典型应用：
1. **电动汽车 (EV) 电池管理系统**: 在电动汽车的电池管理系统中，该 MOSFET 可用于控制大电流的充电和放电过程，确保电池的高效和安全运行。
2. **电源转换器**: 在直流-直流电源转换器中，MDD1752RH-VB 作为开关器件可以高效地进行能量转换，同时保持较低的功耗。
3. **工业电机驱动**: 由于其高电流承载能力和低导通电阻，该 MOSFET 适用于工业电机驱动模块，帮助实现快速开关和高效能操作。
4. **大功率 LED 驱动**: 该器件在 LED 驱动电路中能够提供低热损耗和高电流控制，确保 LED 灯具的稳定和高亮度输出。
5. **数据中心电源**: 在数据中心的大功率服务器和存储设备中，MDD1752RH-VB 可用于管理电源的高效分配，提供稳定和高效的电源控制。
通过其高效的开关速度和低损耗特性，MDD1752RH-VB 在多个应用领域中提供了可靠的性能，适合各种需要高电流、高效率的场景。### MDD1752RH-VB MOSFET 产品简介
MDD1752RH-VB 是一款采用 TO252 封装的高性能单 N 沟道 MOSFET，具有卓越的导通电阻和电流处理能力。该器件具有 40V 的最大漏源电压 (VDS)，并支持 ±20V 的栅源电压 (VGS) 范围，适用于广泛的电源管理和高效开关应用。其极低的导通电阻（VGS 为 4.5V 时为 6mΩ，VGS 为 10V 时为 5mΩ），保证了极低的功耗和高效能，同时可支持高达 85A 的最大漏极电流 (ID)，使其非常适合大电流应用。采用先进的 Trench 技术，进一步提升了开关速度和降低了损耗。
### 详细参数说明
- **产品型号**: MDD1752RH-VB
- **封装类型**: TO252
- **配置**: 单 N 沟道
- **最大漏源电压 (VDS)**: 40V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 6mΩ（VGS=4.5V）
- 5mΩ（VGS=10V）
- **最大漏极电流 (ID)**: 85A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块示例
MDD1752RH-VB MOSFET 适用于多种高功率和高效能应用场景，以下是几个典型应用：
1. **电动汽车 (EV) 电池管理系统**: 在电动汽车的电池管理系统中，该 MOSFET 可用于控制大电流的充电和放电过程，确保电池的高效和安全运行。
2. **电源转换器**: 在直流-直流电源转换器中，MDD1752RH-VB 作为开关器件可以高效地进行能量转换，同时保持较低的功耗。
3. **工业电机驱动**: 由于其高电流承载能力和低导通电阻，该 MOSFET 适用于工业电机驱动模块，帮助实现快速开关和高效能操作。
4. **大功率 LED 驱动**: 该器件在 LED 驱动电路中能够提供低热损耗和高电流控制，确保 LED 灯具的稳定和高亮度输出。
5. **数据中心电源**: 在数据中心的大功率服务器和存储设备中，MDD1752RH-VB 可用于管理电源的高效分配，提供稳定和高效的电源控制。
通过其高效的开关速度和低损耗特性，MDD1752RH-VB 在多个应用领域中提供了可靠的性能，适合各种需要高电流、高效率的场景。
