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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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LSG07N65A-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: LSG07N65A-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 500mΩ@VGS=10V
  • ID 9A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、LSG07N65A-VB 产品简介

LSG07N65A-VB是一款高性能单N沟道MOSFET,采用TO252封装,具有优异的电气性能和可靠性。该器件支持最高650V的漏源电压(VDS),适合用于高压应用。其最大漏极电流(ID)为9A,能够满足中等功率电路的需求。LSG07N65A-VB在VGS=10V时的导通电阻(RDS(ON))为500mΩ,确保了良好的开关效率和较低的功耗。采用SJ_Multi-EPI技术制造,提供出色的热性能和开关特性,适合各种工业和商业应用。

### 二、LSG07N65A-VB 详细参数说明

- **器件类型**: N沟道MOSFET
- **封装类型**: TO252
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 650V
- **栅源电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 500mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 9A
- **技术类型**: SJ_Multi-EPI
- **最大功耗 (Ptot)**: 65W
- **结温范围 (Tj)**: -55°C 至 +150°C

### 三、适用领域和模块说明

1. **电源转换器**
  - LSG07N65A-VB可广泛用于开关电源(SMPS)设计,适合在高电压和中等电流的条件下稳定工作。它能够有效控制电压和电流,提升能效,降低功耗,适用于各种电源适配器和充电器。

2. **电动机驱动**
  - 该MOSFET在电机控制应用中表现优异,适合用于控制直流电机和步进电机,特别是在需要650V电压的高压驱动应用中,可以提供稳定的电流输出和响应。

3. **照明和LED驱动**
  - LSG07N65A-VB适用于LED照明解决方案中的开关控制部分,能够高效管理LED的驱动电流,确保其稳定性和效率,适合家庭和商业照明系统。

4. **逆变器和可再生能源系统**
  - 在太阳能逆变器和风能转换系统中,该器件能够提供必要的电压和电流控制,确保电能的高效转化和利用,是可再生能源领域的理想选择。

5. **电气控制装置**
  - LSG07N65A-VB还可应用于各种电气控制模块,如继电器、保护电路和开关电路等,能在高压环境下提供可靠的性能,确保设备的安全运行。

通过其优异的性能和广泛的适用性,LSG07N65A-VB能够满足高压、小电流应用的需求,是工业和商业领域中理想的选择。

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