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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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LSG04N65-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: LSG04N65-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1000mΩ@VGS=10V
  • ID 5A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介

LSG04N65-VB是一款高压N通道MOSFET,采用TO252封装,专为高效能和高功率应用设计。该器件具有650V的漏极-源极电压(VDS),使其非常适合用于需要高耐压的电源转换和开关电路。其阈值电压(Vth)为3.5V,确保在适当的栅极驱动电压下能够有效导通。导通电阻(RDS(ON))为1000mΩ@VGS=10V,尽管导通电阻相对较高,但适用于特定功率较小的应用。最大持续电流(ID)为5A,适合低至中功率的应用。采用SJ_Multi-EPI技术,该MOSFET在热性能和可靠性方面表现出色,适合在恶劣环境中稳定工作,是现代电源设计中的可靠选择。

### 详细参数说明

| **参数**             | **说明**                  |
|----------------------|--------------------------|
| **型号**             | LSG04N65-VB              |
| **封装**             | TO252                    |
| **配置**             | 单N通道                  |
| **漏极-源极电压 (VDS)** | 650V                     |
| **栅极-源极电压 (VGS)** | ±30V                    |
| **阈值电压 (Vth)**      | 3.5V                    |
| **导通电阻 (RDS(ON))**   | 1000mΩ @ VGS=10V        |
| **最大持续电流 (ID)**    | 5A                      |
| **技术**             | SJ_Multi-EPI             |

### 适用领域和模块示例

LSG04N65-VB广泛应用于多个领域和模块,具体包括:

1. **电源管理**:在开关电源(SMPS)和直流-直流转换器(DC-DC)中,该MOSFET可以有效控制电流,尽管导通电阻较高,但其650V的耐压特性使其适合用于低功率需求的电源转换应用,广泛应用于消费电子产品、工业电源和小型电源模块。

2. **电机控制**:作为电机驱动电路中的开关元件,LSG04N65-VB可以控制小功率直流电机,适用于家用电器、玩具及小型自动化设备的电机控制,提供有效的电机驱动解决方案。

3. **LED驱动**:该MOSFET可用于LED照明和显示系统中的驱动电路,特别是在需要650V高耐压的应用中,适合商业照明和装饰照明,确保LED能够实现稳定的亮度输出。

4. **逆变器**:在小型太阳能逆变器和不间断电源(UPS)系统中,LSG04N65-VB能够实现有效的电能转换,尽管其最大电流为5A,但仍可适用于家庭小型太阳能系统,提升系统的可靠性。

5. **电池管理系统**:该器件适用于电池充电和放电管理电路,以监控和管理电池的使用,确保安全和高效的电池性能,适合低功率电池管理解决方案。

总之,LSG04N65-VB是一款高压MOSFET,适用于多种低至中功率的电子设计,满足现代电子设备对高性能和高可靠性的需求。

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