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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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LR9343-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管

型号: LR9343-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-P-Channel
  • VDS -60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth -1.7V
  • RDS(ON) 46mΩ@VGS=10V
  • ID -35A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、LR9343-VB 产品简介
LR9343-VB 是一款单P沟道MOSFET,采用先进的Trench沟槽技术,具有高效能的电流传导和开关特性。其最大漏源电压(VDS)为-60V,最大栅源电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为-1.7V。该器件在较低的栅极驱动电压下仍具有低导通电阻,分别为58mΩ@VGS=4.5V 和 46mΩ@VGS=10V,最大漏极电流(ID)为-35A,适用于电源管理和负载开关应用。TO252封装确保了优良的散热性能,能够适应高功率密度和紧凑空间设计需求。

### 二、LR9343-VB 详细参数说明
1. **封装类型**: TO252  
  - 紧凑型封装,适用于高功率密度应用,确保良好的散热性能。

2. **沟道类型**: 单P沟道 (Single-P-Channel)  
  - 适用于高侧开关电路,有助于在负电源轨或负载接地情况下控制功率。

3. **漏源电压 (VDS)**: -60V  
  - 最大耐压为-60V,适合中低压电路中进行电源控制和负载管理。

4. **栅源电压 (VGS)**: ±20V  
  - 最大栅源电压范围为±20V,适用于广泛的驱动电压设计。

5. **阈值电压 (Vth)**: -1.7V  
  - 阈值电压较低,能够在低驱动电压下实现快速开关响应。

6. **导通电阻 (RDS(ON))**:  
  - 58mΩ @ VGS=4.5V  
  - 46mΩ @ VGS=10V  
  - 低导通电阻特性可有效降低功耗,适合需要高效率的应用场景。

7. **漏极电流 (ID)**: -35A  
  - 支持高达-35A的连续漏极电流,适合高功率负载应用。

8. **技术**: Trench 沟槽技术  
  - 采用先进的沟槽技术,提供高效能的电流传导和低开关损耗。

### 三、应用领域及模块举例
1. **电源管理和稳压器**
  LR9343-VB 特别适合用于电源管理模块中,作为P沟道MOSFET,它在负载开关和电源转换中表现出色。其低导通电阻和高电流承载能力使其成为中低压电源转换器中的理想元件,能够提高转换效率并减少热量产生。

2. **负载开关应用**
  在需要控制大功率负载的场景中,如电池管理系统和智能开关设备,LR9343-VB 具有快速响应和低功耗的特点。其高电流处理能力和低导通电阻确保在高负载下的稳定工作。

3. **逆变器与电机驱动**
  LR9343-VB 也常用于逆变器和电机驱动模块中。其-60V的耐压和-35A的电流处理能力,使其能够在高频开关电路中有效工作,确保逆变器和电机的高效运行,适合应用于电动车、工业自动化等领域。

4. **消费电子设备**
  在消费电子领域,尤其是便携式设备的电源管理和充电保护电路中,LR9343-VB 的P沟道特性和低功耗设计提供了高效、可靠的解决方案,适用于智能手机、平板电脑等设备的充电电路。

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