--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
- ID 80A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
LR8729-VB 是一款高性能的单N沟道MOSFET,采用先进的沟槽(Trench)技术,封装在TO252外壳中。该器件的最大漏源电压(VDS)为30V,适用于低电压应用,同时栅源电压(VGS)范围为±20V,提供广泛的电压操作窗口。该MOSFET的开启电压(Vth)为1.7V,在VGS为4.5V时导通电阻为6mΩ,VGS为10V时则降低至5mΩ,支持最大漏极电流(ID)为80A。LR8729-VB 具有低导通损耗和高效的电流处理能力,适合需要高效、低损耗的电源管理和高负载电流控制的应用。
### 详细参数说明
- **封装类型**: TO252
- **配置**: 单N沟道
- **最大漏源电压 (VDS)**: 30V
- **最大栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **开启电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 6mΩ @ VGS = 4.5V
- 5mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 80A
- **技术**: 沟槽(Trench)技术
### 应用领域及模块
1. **消费电子设备**:LR8729-VB 适用于需要高效电源管理的消费电子产品,例如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和可穿戴设备。它可以在这些应用中用作电源转换模块,确保稳定的电压输出并减少功耗。
2. **DC-DC转换器**:由于其低导通电阻和高电流承载能力,该MOSFET 在DC-DC降压转换器中表现优异,尤其适用于数据中心服务器电源管理、通信设备和计算硬件。
3. **汽车电子**:在电动汽车和混合动力汽车中,LR8729-VB 可用于电池管理系统和电动机驱动系统。这种MOSFET 能够有效管理大电流并降低系统能耗,确保更长的电池续航时间。
4. **工业自动化与机器人**:由于该器件能够处理高达80A的电流,LR8729-VB 是工业电机控制和自动化应用中的理想选择。它能为电动机提供高效、低损耗的电流控制,确保系统的平稳运行。
5. **LED驱动器**:MOSFET 的低RDS(ON) 值和高电流能力使其非常适用于高功率LED照明驱动模块,能够提高效率并减少发热,适合于商业和户外照明系统。
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