--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
- ID 80A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介:
LR8715C-VB 是一款采用 TO252 封装的单 N 沟道 MOSFET,专为高效能电源管理和开关应用设计。它具有 30V 的漏源极耐压 (VDS) 和 ±20V 的栅源极耐压 (VGS),能够处理高达 80A 的连续漏极电流 (ID),使其适用于低电压、大电流场合。其导通电阻 (RDS(ON)) 在 VGS=4.5V 时为 6mΩ,在 VGS=10V 时为 5mΩ,表现出极低的能量损耗,保证了高效的功率传输。LR8715C-VB 采用 Trench 技术,具有更低的栅极电荷和更高的开关效率,非常适合要求高效能和高可靠性的应用场合。
### 参数说明:
1. **封装 (Package)**: TO252
2. **配置 (Configuration)**: 单 N 沟道
3. **漏源极耐压 (VDS)**: 30V
4. **栅源极耐压 (VGS)**: ±20V
5. **栅阈值电压 (Vth)**: 1.7V
6. **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 6mΩ @ VGS=4.5V
- 5mΩ @ VGS=10V
7. **连续漏极电流 (ID)**: 80A
8. **技术 (Technology)**: Trench 技术
9. **最大功耗 (Power Dissipation)**: 取决于具体的设计和散热条件
10. **工作温度范围 (Operating Temperature Range)**: -55°C 至 175°C
### 应用领域和模块举例:
1. **DC-DC 转换器**:LR8715C-VB 适用于高效 DC-DC 转换器,其低导通电阻使得电流传输更加高效,减少转换过程中的能量损耗,特别是在要求低电压、大电流的场合表现优异。
2. **电池管理系统**:该 MOSFET 在电动汽车和消费电子设备中的电池管理模块中可发挥重要作用,通过精确的电流控制和低损耗导通路径延长电池寿命并提高系统效率。
3. **电机控制与驱动**:其高电流处理能力和低导通损耗,使其成为工业和汽车电机控制中的理想选择,确保电机在重负荷条件下的稳定运行,降低功耗并减少热量产生。
4. **开关电源 (SMPS)**:在开关电源应用中,LR8715C-VB 能够提供快速开关速度和高效能量传输,广泛用于服务器电源、通信设备电源等高要求领域。
5. **LED 照明驱动**:该 MOSFET 可用于 LED 驱动模块,提供高效的电流控制,确保 LED 照明系统的亮度稳定和能耗优化,适合智能照明和节能灯应用。
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