### 产品简介：
LR8113-VB 是一款高效能的单N沟道MOSFET，采用先进的沟槽（Trench）技术，封装在TO252型封装中。该器件的最大漏源电压（VDS）为30V，适用于低电压应用，同时具备±20V的栅源电压（VGS），支持宽范围的驱动电压操作。其开启电压（Vth）为1.7V，导通电阻（RDS(ON)）在栅源电压为4.5V时为3mΩ，在10V时进一步降低至2mΩ，能够承载高达100A的漏极电流（ID）。该产品凭借其低导通损耗和高电流处理能力，广泛应用于高效电源管理和高负载电流控制领域。
### 详细参数说明：
- **封装类型**: TO252
- **极性**: N沟道
- **最大漏源电压 (VDS)**: 30V
- **最大栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **开启电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 3mΩ @ VGS = 4.5V
- 2mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 100A
- **技术**: 沟槽（Trench）
### 应用领域及模块：
1. **高效DC-DC转换器**：LR8113-VB 的低导通电阻和高电流处理能力使其非常适用于DC-DC电源转换器，在消费电子和通信设备中，能够提升电源效率，降低功耗，延长设备的电池续航时间。
2. **汽车电源管理**：由于其高电流承载能力，LR8113-VB 非常适合电动汽车中的电池管理和驱动系统，能够有效管理电池的充放电过程，并驱动高效的电动机。
3. **LED驱动电路**：该MOSFET适用于高功率LED驱动，能够在保持低导通电阻的同时提供高电流输出，确保照明设备在不同条件下具有稳定的亮度和高效能。
4. **工业电源模块**：在工业领域的电源模块中，LR8113-VB 能够作为开关设备，在高负载应用中提供稳定的功率输出，并提升整体系统的能效，降低热损耗。
5. **消费类电子产品**：该器件也适用于智能家电、手持设备等消费类电子产品中，作为功率开关使用，确保高效的电源管理，从而提升产品的运行效率与使用体验。
