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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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LR7807Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: LR7807Z-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
  • ID 70A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### LR7807Z-VB MOSFET 产品简介

LR7807Z-VB 是一款高性能的单N沟道MOSFET,采用TO252封装,专为中等电压和高电流应用设计。该器件的最大漏源极电压(VDS)可达30V,适用于各种开关电源和功率管理电路。LR7807Z-VB 的栅极驱动电压范围为±20V,确保其在多种工作条件下可靠运行。其阈值电压(Vth)为1.7V,具备优秀的导通特性,其导通电阻(RDS(ON))在VGS为4.5V时为9mΩ,在VGS为10V时为7mΩ,这使得该器件在高效能量传输和快速开关应用中表现出色。凭借其先进的沟槽技术,LR7807Z-VB 旨在减少功耗并提升系统的整体效率,是电力电子领域中的理想选择。

### LR7807Z-VB MOSFET 详细参数说明

| 参数名称         | 数值                           |
|------------------|--------------------------------|
| 封装类型         | TO252                          |
| MOSFET配置       | 单N沟道                        |
| 漏源极电压 (VDS) | 30V                            |
| 栅极电压 (VGS)   | ±20V                           |
| 阈值电压 (Vth)   | 1.7V                           |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 9mΩ @ VGS = 4.5V             |
|                   | 7mΩ @ VGS = 10V               |
| 连续漏极电流 (ID) | 70A                            |
| 技术              | 沟槽 (Trench) 技术             |

### 应用领域和模块示例

1. **电源管理系统**  
  LR7807Z-VB 在电源管理模块中具有重要应用,尤其是在开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中。其高电流能力和低导通电阻使其能够有效降低功耗,提高系统的能效,适合用于电源适配器和电池供电设备。

2. **电动机驱动**  
  在电机控制电路中,LR7807Z-VB 可作为高效的开关元件,能够快速切换以满足电动机启动和运行时的电流需求。其优异的开关特性使其非常适合用于工业电动机、家用电动机及机器人驱动。

3. **LED照明应用**  
  LR7807Z-VB 可用于LED驱动电路中,以高效地控制LED的亮度。通过调节导通状态,该MOSFET 能够实现准确的电流控制,从而优化LED的性能和能效,适合用于各种照明系统。

4. **电池充电和管理系统**  
  在电池管理和充电系统中,LR7807Z-VB 具有出色的开关性能,可用于高效的充电控制和电流管理。其低功耗特性使得充电过程更加高效,有助于延长电池的使用寿命,广泛应用于便携式设备和电动汽车充电系统中。

LR7807Z-VB 的卓越性能和设计使其成为多个行业和应用的理想选择,特别是在需要中等电压和高效能量管理的系统中。

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