企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 81 粉丝

LR3715ZC-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: LR3715ZC-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 20V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 0.5~1.5V
  • RDS(ON) 4.5mΩ@VGS=4.5V
  • ID 100A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### LR3715ZC-VB MOSFET 产品简介

LR3715ZC-VB 是一款高性能的单N沟道MOSFET,采用TO252封装,专为低电压和高电流应用设计。该器件的漏源极电压(VDS)最大可达20V,适合用于低电压开关电路和电源管理应用。LR3715ZC-VB 的栅极驱动电压范围为±20V,确保其在各种工作环境下稳定运行。其阈值电压(Vth)范围为0.5V至1.5V,具有极低的导通电阻(RDS(ON) = 6mΩ @ VGS = 2.5V 和 RDS(ON) = 4.5mΩ @ VGS = 4.5V),使其在高效能量传输和快速开关应用中表现卓越。凭借其先进的沟槽技术,LR3715ZC-VB 能够实现极低的功耗,是电力电子领域中的理想选择。

### LR3715ZC-VB MOSFET 详细参数说明

| 参数名称         | 数值                           |
|------------------|--------------------------------|
| 封装类型         | TO252                          |
| MOSFET配置       | 单N沟道                        |
| 漏源极电压 (VDS) | 20V                            |
| 栅极电压 (VGS)   | ±20V                           |
| 阈值电压 (Vth)   | 0.5V ~ 1.5V                   |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 6mΩ @ VGS = 2.5V             |
|                   | 4.5mΩ @ VGS = 4.5V            |
| 连续漏极电流 (ID) | 100A                           |
| 技术              | 沟槽 (Trench) 技术             |

### 应用领域和模块示例

1. **电源管理模块**  
  LR3715ZC-VB 在电源管理系统中表现出色,特别是在低电压应用中。其高电流承载能力和低导通电阻使其适用于高效开关电源(SMPS)和DC-DC转换器,能够有效降低功耗,提高能量转换效率。

2. **电动机驱动**  
  该MOSFET 适用于电动机控制电路,尤其是在需要快速开关的场合。LR3715ZC-VB 的高电流能力和快速开关特性使其能够满足电动机启动和运行时的瞬时电流需求,提供可靠的电源控制。

3. **LED照明控制**  
  在LED驱动电路中,LR3715ZC-VB 可用作高效的开关控制器,能够调节LED的电流并实现不同的亮度设置。其低RDS(ON)特性能够减少能量损耗,确保LED在各种工作条件下实现稳定的亮度输出,从而提升照明系统的能效。

4. **电池充电器和管理系统**  
  LR3715ZC-VB 也适合用于电池管理系统,特别是在高功率电池的充电和放电应用中。其优秀的开关性能和低功耗特性使其能够提高充电效率,延长电池使用寿命。

LR3715ZC-VB 的出色性能和设计使其成为多个行业和应用中的理想选择,特别是在需要低电压和高效能量管理的系统中。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    707浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    588浏览量