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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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LR3715C-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管

型号: LR3715C-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • Package TO252
  • 沟道 Single-N-Channel
  • VDS 20V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 0.5~1.5V
  • RDS(ON) 4.5mΩ@VGS=4.5V
  • ID 100A

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、LR3715C-VB产品简介

LR3715C-VB是一款采用Trench技术的单N沟道MOSFET,封装形式为TO252。该器件专为低电压应用设计,具有高达20V的漏源电压(VDS)和±20V的栅源电压(VGS)承受能力。LR3715C-VB的阈值电压(Vth)范围为0.5V至1.5V,使其能够在较低的栅压下快速导通,具备出色的开关性能。该MOSFET在4.5V的栅压下,导通电阻(RDS(ON))低至4.5mΩ,最大持续漏极电流(ID)可达100A,适合于高效能和低功耗的电源管理应用。

### 二、LR3715C-VB详细参数说明

- **器件类型**: N沟道MOSFET
- **封装类型**: TO252
- **配置**: 单一N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 20V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 0.5V 至 1.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
 - 6mΩ @ VGS = 2.5V
 - 4.5mΩ @ VGS = 4.5V
- **漏极电流 (ID)**: 100A
- **技术类型**: Trench
- **工作温度范围**: -55°C 至 +175°C
- **功耗 (Ptot)**: 50W

### 三、适用领域和模块举例

1. **电源管理**
  - LR3715C-VB的低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于DC-DC转换器和电源适配器。在这些应用中,它可作为开关元件,优化电源转换效率并减少能量损耗,特别是在便携式设备和智能手机充电器等要求紧凑和高效的应用中。

2. **电机控制**
  - 在电机驱动和控制系统中,LR3715C-VB可以用于控制直流电动机和步进电动机。由于其高电流能力和低开关损耗,该MOSFET可确保电机驱动的高效能和稳定性,适合于工业自动化和机器人应用。

3. **消费电子**
  - LR3715C-VB在消费电子产品中也有广泛应用,如电动工具、家庭电器和智能家居设备。其优异的开关性能和高效率能够提高这些设备的续航能力和使用体验。

4. **照明控制**
  - 该MOSFET同样适用于LED驱动电路中,能够实现高效的开关控制和调光功能。由于其低导通电阻,LR3715C-VB能有效减少能量损失,提升照明系统的能效,适合用于智能照明解决方案。

综上所述,LR3715C-VB凭借其卓越的性能和广泛的应用领域,成为现代电力电子设备中高效能和低功耗应用的理想选择。

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