**产品简介**
LR3636-VB 是一款高效的单N沟道功率MOSFET，封装为 TO252，专为高性能电源管理和开关应用设计。该器件的漏源电压（VDS）为60V，栅源电压（VGS）范围为 ±20V，导通阈值电压（Vth）为3V。在 VGS 为 4.5V 时，导通电阻（RDS(ON)）为12mΩ，而在 VGS 为 10V 时，RDS(ON) 更低，达到4.5mΩ，最大漏极电流（ID）可达到97A。该器件采用先进的沟槽（Trench）技术，提供卓越的电流承载能力和热性能，适用于要求高效能和高可靠性的各种电子设备。
**详细参数说明**
1. **封装类型**：TO252
2. **器件配置**：单N沟道
3. **漏源电压（VDS）**：60V
4. **栅源电压（VGS）**：±20V
5. **导通阈值电压（Vth）**：3V
6. **导通电阻（RDS(ON)）**：
- 12mΩ（在 VGS=4.5V 时）
- 4.5mΩ（在 VGS=10V 时）
7. **最大漏极电流（ID）**：97A
8. **技术类型**：沟槽（Trench）技术
9. **热阻**：根据产品文档提供的热特性参数
10. **开关速度**：适用于高频切换，具体参数取决于应用电路设计
11. **工作温度范围**：通常为-55°C至150°C，具体需参照产品规格书
**应用领域与模块举例**
LR3636-VB MOSFET 在多个高效能电源管理和开关应用中表现出色，常见的应用领域包括：
1. **电源管理系统**：该 MOSFET 在开关电源（SMPS）中广泛应用，特别是在高效率电源转换器中，能够有效降低功耗和提高系统效率，适合于计算机电源和工业电源模块。
2. **电动汽车**：在电动汽车（EV）和混合动力汽车的电源管理和驱动系统中，LR3636-VB 可用于控制电池的充放电过程，实现高效的电能管理与安全保护。
3. **LED驱动电路**：该器件可用于LED照明系统中的驱动电路，通过低导通电阻实现高效的电流控制，提高LED灯具的能效和使用寿命。
4. **电机控制**：LR3636-VB 适用于各种电机驱动应用，包括无刷直流电机（BLDC）和步进电机，能够提供稳定的电流控制和高效率的驱动能力。
5. **消费电子**：在高性能消费电子设备（如大功率移动设备和家电）中，该 MOSFET 可以用作电源开关，提升系统的功率转换效率和稳定性。
凭借其卓越的性能和多样的应用范围，LR3636-VB MOSFET 是现代电子设备设计中的理想选择。
