--- 产品参数 ---
- Package TO252
- 沟道 Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
- ID 80A
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 1. 产品简介:
LR3103-VB 是一款高效的 **N 沟道功率 MOSFET**,采用 **TO252 封装**,专为高电流和高开关频率的应用设计。其最大漏源电压 (VDS) 为 **30V**,支持高达 **±20V** 的栅源电压 (VGS)。LR3103-VB 具有 **1.7V 的栅极阈值电压 (Vth)**,在较低的栅极驱动电压下实现快速导通。其导通电阻为 **6mΩ@VGS=4.5V** 和 **5mΩ@VGS=10V**,在高达 **80A 的漏极电流 (ID)** 下,确保在功率传输过程中能够实现低能量损耗。这款 MOSFET 采用 **Trench 技术**,具有优越的导电性能,适用于各种电源管理和开关电路。
### 2. 详细参数说明:
- **封装类型**:TO252
- **配置**:单 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**:30V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**:1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 6mΩ @ VGS=4.5V
- 5mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**:80A
- **技术**:Trench 技术
- **工作温度范围**:-55°C 至 175°C
- **最大功耗 (Ptot)**:依赖于散热设计与应用场景(TO252 封装下的散热管理)
### 3. 应用领域与模块示例:
LR3103-VB MOSFET 广泛应用于多种 **电力电子领域**,尤其在高电流和高效率需求的场合。例如:
- **电源管理系统**:该 MOSFET 适用于开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器,能够高效处理电能转换,降低能量损耗,从而提高系统整体效率,特别是在需要大电流输出的场合。
- **电机驱动**:在电动机控制应用中,例如 BLDC 电机和步进电机驱动,LR3103-VB 的高电流能力和低导通电阻使其能够实现高效的电机驱动,确保稳定的启动和运行。
- **逆变器**:LR3103-VB 适合在光伏发电和风力发电系统中用作逆变器的开关元件,能够高效地将直流电转换为交流电,并保持稳定的输出功率。
- **汽车电子**:在汽车电气系统中,该 MOSFET 可以用于电池管理和电源分配模块,能够处理高电流需求,提高能效,并保证系统的安全性和稳定性。
通过这些特性,LR3103-VB 在需要高效率、低功耗和高电流的应用场合中,能够提供卓越的性能和可靠性。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12